[发明专利]蒸镀装置无效
申请号: | 200910310613.4 | 申请日: | 2009-11-30 |
公开(公告)号: | CN102080210A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 裴绍凯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种蒸镀装置,特别涉及一种离子辅助镀膜的蒸镀装置。
背景技术
蒸镀是一种物理气相沉积技术,即以物理的方式进行薄膜沉积。具体地,其通过离子束或电子束对膜料进行加热,使膜料变成气态,而沉积在待镀基材表面以形成一蒸镀膜层。蒸镀技术因成膜过程简单,工艺易控制而得到广泛应用,例如光学元件表面反射膜层、装饰件表面膜层等。
蒸镀过程需要在一蒸镀装置中进行,所述蒸镀装置通常包括一蒸镀腔室、一用于承载待镀膜基材的传统的伞架、一位于伞架正下方的用于承载膜料的坩埚及一释放出氧化性气体的离子源。传统的蒸镀方法是将待镀膜基材放置于伞架上,在释放出气态膜料的同时也释放出氧化性气体,使气态膜料与氧化性气体反应后沉积于待镀膜基材上表面。然而,一般蒸镀装置内释放氧化性气体的离子源的位置与待镀膜基材的位置相对固定,当采用处于不同位置的不同膜料进行镀膜时,很可能由于离子源与膜料的位置关系,使得气态的膜料还未完全氧化就沉积于待镀膜基材上,从而影响镀膜质量及效果。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可有效提高镀膜质量的蒸镀装置。
一种蒸镀装置,其用于对待镀膜基材进行镀膜;该蒸镀装置包括一外壳及一反应装置;所述外壳包括一内侧壁及一底壁,所述内侧壁设置有至少一工作区用于承载所述基材,所述底壁上开设有一轴孔;所述反应装置容置在外壳内并通过一转轴转动连接在轴孔内;反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒,外筒与内筒之间形成第一空间,内筒围成第二空间;所述第一空间内设置有用于放置膜料的坩埚及用于轰击膜料的电子枪,所述第二空间内设置有一离子源;所述外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空间连通的第二喷口,从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化后附着于基材上。
本发明提供的蒸镀装置通过在使用电子枪轰击后的气态膜料进行镀膜的过程中,同时向待镀膜基材上喷射出氧化性离子,使得气态的膜料与氧化性离子混合均匀,使得在膜料附着于基材上之前能被完全氧化,从而有效提高镀膜质量。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的蒸镀装置的分解示意图。
图2是图1中的蒸镀装置的反应装置的分解示意图。
图3是图1中的蒸镀装置的半剖示意图。
主要元件符号说明
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