[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910310725.X | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102082222A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林大为 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片，包括基板及具有p-n结的半导体发光结构，基板包括相对设置的第一表面及第二表面，该具有p-n结的半导体发光结构形成于该基板的第一表面上，其特征在于：基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔内填充导热材料以形成导热柱。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：该导热材料为铜。
3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：该基板为蓝宝石基板。
4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：该具有p-n结的半导体发光结构包括n型半导体层、p型半导体层、第一电极及第二电极，n型半导体层及p型半导体层堆叠于基板的第一表面上，第一电极与n型半导体层连接，第二电极与p型半导体层连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：该n型半导体层及p型半导体层之间具有活性层。
6.一种发光二极管芯片的制造方法，包括：
提供一基板，该基板包括相对设置的第一表面及第二表面，该基板的第一表面上形成具有p-n结的半导体发光结构；
该基板的第二表面形成若干盲孔；
每一盲孔内填充导热材料形成导热柱。
7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：采用蚀刻方式在该基板的第二表面形成该若干盲孔。
8.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：该导热柱是在每一盲孔内镀铜形成。
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