[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制造方法。

背景技术

随着发光二极管器件逐步应用于大功率照明，发光二极管器件产生越来越多的热量，如果不能有效散发发光二极管器件所产生的热量，将降低发光二极管的使用寿命。然，发光二极管的基板通常采用蓝宝石，蓝宝石的热传导系数相对较低，其导热性能并不能完全满足大功率发光二极管器件的散热需要。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种散热性能较佳的发光二极管芯片及其制造方法。

一种发光二极管芯片，包括基板及具有p-n结的半导体发光结构，基板包括相对设置的第一表面及第二表面，该具有p-n结的半导体发光结构形成于该基板的第一表面上，基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔内填充导热材料以形成导热柱。

一种发光二极管芯片的制造方法，包括：提供一基板，该基板包括相对设置的第一表面及第二表面，该基板的第一表面上形成具有p-n结的半导体发光结构；该基板的第二表面形成若干盲孔；每一盲孔内填充导热材料形成导热柱。

与现有技术相比，本发明的基板上形成导热柱，提高基板的热传导系数，增强基板的导热性能。

附图说明

图1为本发明发光二极管芯片一较佳实施例的剖面示意图。

图2为本发明发光二极管芯片制造方法的流程图。

主要元件符号说明

具体实施方式

请参阅图1，发光二极管芯片1包括基板10及具有p-n结的半导体发光结构15。基板10为蓝宝石基板，基板10包括相对设置的第一表面103及第二表面104，该具有p-n结的半导体发光结构15形成于该基板10的第一表面103上。

在本实施方式中，该具有p-n结的半导体发光结构15为氮化镓系III-V族化合物半导体，该具有p-n结的半导体发光结构15包括n型半导体层11、活性层12、p型半导体层13、第一电极141及第二电极142，n型半导体层11、活性层12及p型半导体层13依次堆叠于基板10的第一表面103上，第一电极141与n型半导体层11连接，第二电极142与p型半导体层13连接。n型半导体层11形成于基板10的第一表面103之上，活性层12形成于n型半导体层11之上，p型半导体层13形成于活性层12之上，将p型半导体层13、活性层12及n型半导体层11的表面于一侧腐蚀去除一部分，露出部分n型半导体层11的表面，第一电极141形成于露出的n型半导体层110的表面上，第二电极142形成于p型半导体层13之上。基板10的第二表面104形成若干盲孔101，每一盲孔101内填充导热材料以形成导热柱102。导热柱102优选铜作为材料。发光二极管芯片1工作时产生的热量可以通过导热柱102传导至下方，增加蓝宝石基板10的传热效率。

如图2所示，上述发光二极管芯片1的制造方法包括以下步骤：首先，提供一基板10，该基板10包括相对设置的第一表面103及第二表面104，该基板10的第一表面103上形成具有p-n结的半导体发光结构15；其次，在该基板10的第二表面104蚀刻形成若干盲孔101；最后，在每一盲孔101内填充导热材料以形成导热柱102。在本实施方式中，采用在每一盲孔101内电镀铜等高导热金属材料以形成导热柱102。

另，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。