[发明专利]电子装置壳体及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910310850.0 申请日: 2009-12-03
公开(公告)号: CN102088131A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 杨志军;付美文;李展 申请(专利权)人: 深圳富泰宏精密工业有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;B29C45/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置 壳体 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种电子装置壳体,其特征在于:其包括一第一本体和一第二本体,该第一本体的材质包含有可激光活化物,该第一本体通过激光活化并电镀或化学镀后而形成一天线辐射体,该第二本体形成于该第一本体上并覆盖该天线辐射体,且该天线辐射体包括至少一部分地露出于所述第一本体及第二本体外部的端子。

2.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述第一本体以注塑成型的方式制成,注塑成型第一本体的材质为热塑性塑料、有机填充物及可激光活化物的混合物。

3.如权利要求2所述的电子装置壳体,其特征在于:所述第一本体及第二本体包括聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、丙烯睛-苯乙烯-丁二烯共聚合物、聚碳酸酯、聚醯亚胺、液晶聚合物、聚醚醯亚胺、聚苯硫、聚飒、聚苯乙烯、乙二醇改性聚酯及聚丙烯聚合物中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的电子装置壳体,其特征在于:所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。

5.如权利要求4所述的电子装置壳体,其特征在于:所述不导电的基于尖晶石的高阶氧化物为含铜尖晶石。

6.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述天线辐射体包括依次形成于所述第一本体表面的镀铜层、镀镍层及镀金层。

7.一种电子装置壳体的制作方法,其包括如下步骤:

提供一第一成型模具及一第二成型模具,该第一成型模具具有一一次成型型腔,该第二成型模具具有一二次成型型腔;

向所述一次成型型腔中注塑含可激光活化物的塑料形成电子装置壳体的第一本体;

激光活化所述第一本体表面的一预设区域;

将所述被活化的预设区域金属化形成一天线辐射体;

向所述二次成型型腔中注塑以形成一第二本体,该第二本体与该第一本体相结合并将天线辐射体部分的覆盖。

8.如权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。

9.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述不导电的基于尖晶石的高阶氧化物为含铜尖晶石。

10.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述激光活化为使用激光对所述第一本体的表面进行照射,使该第一本体中的不导电的基于尖晶石的高阶氧化物的金属晶核析出于第一本体的表面,使该预设区域成为导体。

11.如权利要求10所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述金属化的方法为对所述被活化的预设区域进行电镀或化学镀。

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