[发明专利]AMOLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法有效
| 申请号： | 200910311273.7 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101719481A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 徐正勋;李慧元 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/20 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amoled tft 金属 诱导 结晶 方法 | ||
1.AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，其特征在于包括以下步骤：
在完成TFT阵列的基板上，形成多晶硅孤岛，然后镀a-Si层，进而完成结晶化工艺；
形成所述多晶硅孤岛的方法为：在完成TFT阵列的基板上镀a-Si层；然后镀金属触媒层； 进行光刻胶工艺形成PR图形；然后分别将金属触媒层和a-Si层进行刻蚀；去除PR后进行热处 理，再去除残存的金属触媒层，形成多晶硅孤岛；
或者，形成所述多晶硅孤岛的方法为：
在完成TFT阵列的基板上镀a-Si层；形成a-Si层的孤岛刻纹，镀金属触媒层；进行光刻胶 工艺形成PR图形，然后分别将金属触媒层和a-Si层进行刻蚀；去除PR后进行热处理，再去 除残存的金属触媒层；形成多晶硅孤岛。
2.根据权利要求1所述的AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，其特征在于包括 以下步骤：
a、将完成TFT阵列的基板使用LPCVD或PECVD设备，蒸镀的a-Si层；
b、a-Si层上通过溅射镀的金属触媒Ni层；
c、进行光刻胶工艺形成PR图形，然后分别将Ni层与a-Si层刻蚀，随后去除PR，进行热处 理，使a-Si转变成多晶硅；
d、去除Ni层，形成多晶硅孤岛；
e、然后镀的a-Si层，进而完成结晶化工艺。
3.根据权利要求1所述的AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法，其特征在于包括 以下步骤：
a、将完成TFT阵列的基板使用LPCVD或者PECVD设备，蒸镀的a-Si层；
b、形成a-Si孤岛刻纹后，通过溅射镀的Ni层；
c、进行光刻胶工艺形成PR图形，然后分别将Ni层与a-Si层刻蚀，然后去除PR图形，进行 热处理；
d、去除Ni层，形成多晶硅孤岛；
e、然后镀的a-Si层，进而完成结晶化工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
