[发明专利]AMOLED用TFT基板的金属诱导结晶化方法

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示器制造技术领域，具体涉及一种AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结 晶化方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode)的结构特征为内置型结构， 阴、阳极为整体分布，TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)分布在阴极和阳极之间，像 素越细密，像素数越多，越具有高分辨率。同时，通过TFT，只对需要的部分进行供电，因此 可以制作电力消耗低的大面积显示器。由于AMOLED相比PMOLED电力消耗低，最近被广范进行 研究。AMOLED生产的一大难题是TFT基板的生产技术。由于OLED是电流驱动，在基板中需要向 各个像素特性均一。在电流驱动方式中载流子的迁移率是个重要因子，如果对载流子迁移率 进行比较，多晶硅TFT的载流子迁移率要比a-Si TFT优秀很多。因此，与TFT-LCD使用a-Si TFT 基板不同，AMOLED需要使用多晶硅TFT。另外，迁移率、阀值电压等都须保持均一。

低温多晶硅由于载流子迁移率高具有可以在面板内集成驱动器件的优点，在面板价格上 具有优点，要想制造高品质的中小型显示器，低温多晶硅TFT器件是必然选择。

低温多晶硅的结晶化制造方法有代表性有使用激光的方法ELC(Eximer Laser  Crystallization)，CGS(Continuous Grain Silicon)，SLS(Sequential Lateral  Solidification)，SELAX(Selectively Enlarging Laser Xtallization)等，以及不使用激 光的方法SPC(Solid Phase Crystallization)，MICC(Metal Induced Crystallization using  Capping layer)，MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)，SGS(Super Grain Silicon) 等。

其中，由于利用金属触媒进行结晶化的方法制备的多晶硅基板质量均一性优秀，设备投资 费及维持费用低廉，在往大型化扩展是完全没有问题，得到更广范的应用。但是由于其主要 思路是在TFT的源极和漏极直接蒸镀硅，具有易被金属污染这一致命缺点，受此污染影响的产 品会有像素不均一的的缺陷，后期可能会成为漏电流的原因。因此，如将采用金属诱导方法 制造的TFT与采用激光诱导方法制造的TFT的漏电流特性进行比较，一般有2个数量级的差异。 本领域目前急需发展克服这一缺陷的方法。

技术方案

本发明要解决的技术问题是降低金属诱导方法制造的AMOLED用TFT基板的漏电流特性。本 发明解决技术问题的技术方案是提供一种AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法。该方 法包括以下步骤：在完成TFT array(TFT阵列)的基板上，形成多晶硅孤岛，然后镀a-Si层， 进而完成结晶化工艺。

其中，形成上述多晶硅孤岛的方法为：在完成TFT阵列的基板上镀a-Si层；然后镀金属触 媒层；进行光刻胶工艺形成PR图形；然后分别将金属触媒层和a-Si层进行刻蚀；去除PR后进 行热处理，再去除残存的Ni，形成多晶硅孤岛。

进一步的，上述AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法包括以下步骤：

a、将完成TFT阵列的基板使用LPCVD或PECVD设备，蒸镀的a-Si层；

b、a-Si层上通过溅射镀的金属触媒Ni层；

c、进行光刻胶工艺形成PR图形，然后分别将Ni层与a-Si层刻蚀，随后去除PR，进行热处 理，使a-Si转变成多晶硅；

d、去除Ni层，形成多晶硅孤岛；

e、然后镀的a-Si层，进而完成结晶化工艺。

其中，形成上述多晶硅孤岛的方法为：在完成TFT阵列的基板上镀a-Si层；形成a-Si层的 孤岛刻纹，镀金属触媒层；进行光刻胶工艺形成PR图形，然后分别将金属触媒层和a-Si层进 行刻蚀；去除PR后进行热处理，再去除残存的金属触媒层；形成多晶硅孤岛。

进一步的，上述AMOLED用TFT基板的间接金属诱导结晶化方法包括以下步骤：

a、将完成TFT阵列的基板使用LPCVD或者PECVD设备，蒸镀的a-Si层；