[发明专利]变色薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910311706.9 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102102170A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 裴绍凯 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 变色 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种变色薄膜的制备方法，其包括如下步骤：提供一个基板；将所述基板放入真空镀膜腔内，在所述基板的表面镀上一层氮化膜；将镀膜后的基板从真空镀膜腔中取出，放入高温炉进行热裂解；将热裂解后的基板从高温炉中取出，进行冷却。
2.如权利要求1所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板为不锈钢基板。
3.如权利要求1所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述镀膜方法为直流磁控溅射方法。
4.如权利要求3所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空镀膜腔内的真空压力为3×10-3Torr，以钛作为靶材，离子轰击源的功率是220V，电流是2~15A，真空溅镀的时间是1小时。
5.如权利要求4所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板上所镀的氮化膜为TiN膜，膜层厚度为400~600nm。
6.如权利要求5所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，对所述基板进行真空镀膜时，以氩气和氮气的混合气体作为工作气体。
7.如权利要求6所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气与氮气的比例为2∶1。
8.如权利要求6所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气与氮气的比例为5∶1。
9.如权利要求6所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气与氮气的比例为8∶1。
10.如权利要求4所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板上所镀的氮化膜为TiCN膜，膜层厚度为300~400nm。
11.如权利要求10所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，对所述基板进行真空镀膜时，以氩气、氮气及乙炔的混合气体作为工作气体。
12.如权利要求11所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气、氮气及乙炔的比例为2∶1∶0.5。
13.如权利要求1所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，在高温炉中进行热裂解的温度为200~500℃。
14.如权利要求1所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，在高温炉中进行热裂解的压力为10-2~10-4Torr。
15.如权利要求1所述的变色薄膜的制备方法，其特征在于，在高温炉中进行热裂解的时间为10分钟~2小时。
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