[发明专利]发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，包括如下步骤：

提供一蓝宝石基板；

在该蓝宝石基板上形成氮化镓基外延膜；

在该氮化镓基外延膜表面蚀刻出多条排气道，以将该氮化镓基外延膜分隔成多个单元器件；

在该氮化镓基外延膜表面形成一反射层；

将该反射层粘接于一导电基板；

使用激光剥离方法将该氮化镓基外延膜与该蓝宝石基板分离，并使剥离时产生的气体从该多条排气道泄出；以及

沿该排气道切割该导热基板，以获取独立的发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：在该蓝宝石基板上形成氮化镓基外延膜的步骤为采用金属有机化学气相沉积方法在该蓝宝石基板上依次层叠设置p型半导体层、活性层及n型半导体层，该p型半导体层、该活性层及该n型半导体层共同构成该氮化镓基外延膜。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：在该氮化镓基外延膜表面形成一反射层的步骤为采用等离子体化学气相沉积方法在该氮化镓基外延膜表面沉积一层反射层。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：在该氮化镓基外延膜表面蚀刻出多条排气道，以将该氮化镓基外延膜分隔成多个单元器件的步骤为采用感应耦合等离子体方法在该氮化镓基外延膜表面蚀刻出该多条排气道。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：在该氮化镓基外延膜表面蚀刻出多条排气道，以将该氮化镓基外延膜分隔成多个单元器件的步骤中，该多条排气道将该氮化镓基外延膜分隔成位于该氮化镓基外延膜中部的器件预留区和位于该该氮化镓基外延膜边缘的剥离牺牲区，该多个单元器件由该器件预留区被该多条排气道分隔而成。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：该多个单元器件的形状相同，该多个单元器件沿该排气道的延伸方向整齐排列。

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：使用激光剥离技术方法将该氮化镓基外延膜与该蓝宝石层分离的步骤中，所使用的激光束照射在该氮化镓基外延膜上形成的光斑的形状与每个单元器件的形状相同，且该光斑的尺寸大于等于该每个单元器件的尺寸。

8.如权利要求7所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：使用激光剥离技术方法将该氮化镓基外延膜与该蓝宝石层分离的步骤包括如下分步骤：

(a)使最初的光斑出现在该剥离牺牲区，并与一列单元器件相邻；

(b)使该最初的光斑沿直线移动，逐渐进入该器件预留区并依次扫描该列单元器件的每个单元器件；

(c)当该光斑穿过该器件预留区而移动到该氮化镓基外延膜边缘时，停止发射激光束；

(d)使新的光斑出现在该剥离牺牲区，并使新的光斑与另一列单元器件相邻，该另一列单元器件与扫描过的该列单元器件相邻；

(e)重复步骤(b)至步骤(d)，直至所有的单元器件都被扫描。

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：该光斑移动时，将至少一个该单元器件完全覆盖。

10.如权利要求8所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：该最初的光斑部分位于该氮化镓基外延膜的外侧。