[发明专利]发光二极管芯片的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管芯片的制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体器件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。以GaN及InGaN、AIGaN为主的III V族金属氮化物材料(又称氮化镓基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。该类材料也是目前制备短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件时较为优选的材料。

目前，氮化镓基LED普遍采用蓝宝石作为衬底，通过异质外延的方法制备。然而，由于蓝宝石衬底的导电、导热性能较差，不适合直接作为LED芯片的基体。因此，如何将氮化镓基外延膜从蓝宝石衬底上剥离，并进一步转移到另一高导热导电基体上成了制备大功率氮化镓基LED的关键。激光剥离方法(LLO，Laser Lift-off)是采用紫外光波段的激光透过蓝宝石衬底辐照样品，使蓝宝石/氮化镓界面的氮化镓发生热分解而生成氮气与金属镓的残留物，以实现蓝宝石衬底与氮化镓分离的方法。

然而，在激光剥离过程中，激光照射瞬间所产生的气体会对作用区域产生较强的冲击力，该冲击力将会使周围芯片发生变形翘曲，甚至出现裂纹，由此导致芯片良率较低。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提供一种良率较高的发光二极管芯片的制备方法。

一种发光二极管芯片的制备方法，包括如下步骤：提供一蓝宝石基板；在蓝宝石基板上形成氮化镓基外延膜；在氮化镓基外延膜表面蚀刻出多条排气道，以将氮化镓基外延膜分隔成多个单元器件；在氮化镓基外延膜表面形成一反射层；将反射层粘接于一导电基板；使用激光剥离方法将氮化镓基外延膜与蓝宝石基板分离，并使剥离时产生的气体从多条排气道泄出；以及沿排气道切割导热基板，以获取独立的发光二极管芯片。

由于在氮化镓基外延膜表面蚀刻出了多条排气道，使用激光剥离方法将氮化镓基外延膜与蓝宝石层分离时，产生的气体可以从多条排气道中泄出，从而降低气体对氮化镓基外延膜的冲击力，降低芯片出现变形、裂纹的可能，提高了芯片的良率。

附图说明

图1是本发明实施例的发光二极管芯片的制备流程图。

图2至图7是本发明实施例的发光二极管芯片的制备过程中每个步骤的截面示意图。

图8是本发明实施例的发光二极管芯片的制备过程中蚀刻步骤的平面示意图。

图9是本发明实施例的发光二极管芯片的制备过程中激光剥离时的平面示意图。

主要元件符号说明