[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

背面取出电极，在贯通所述半导体基板的接触孔内，隔着形成为具有均匀膜厚的绝缘膜埋入第1导电材料，用于在所述半导体基板的背面侧取出还用作对位用标记的电极；以及

焊盘，设置在所述半导体基板的背面，与所述背面取出电极连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还包括背面照射型的CMOS图像传感器，该背面照射型的CMOS图像传感器形成为：在所述半导体基板的表面侧设置传感器部，在与所述表面侧相对的所述半导体基板的所述背面侧，设置用所述背面取出电极作为所述对位用标记而形成的透镜。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述电极包含电阻比所述第1导电材料低的第2导电材料。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述电极和所述焊盘包含电阻比所述第1导电材料低的第3导电材料。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1导电材料是添加了杂质的多晶硅；

第2导电材料是钨；

第3导电材料是铜。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还包括与所述电极连接的接触件。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，还包括：

与所述接触件电连接的多层的布线及通路；以及

与所述多层的布线及通路电连接的布线层。

8.一种半导体装置的制造方法，用于形成背面取出电极，该背面取出电极用于在半导体基板的背面侧取出还用作对位用标记的电极，该方法包括以下步骤：

在所述半导体基板形成贯通孔；

在所述贯通孔的内壁形成具有均匀膜厚的绝缘膜；以及

隔着所述绝缘膜，在所述贯通孔内埋入第1导电材料形成接触层。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括以下步骤：

在形成了所述接触层之后，形成背面照射型的CMOS图像传感器，该背面照射型的CMOS图像传感器包括：在所述半导体基板的表面侧形成的传感器部、以及用所述背面取出电极作为所述对位用标记在与所述表面侧相对的所述半导体基板的所述背面侧形成的透镜。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述接触层的步骤包括以下步骤：

对于埋入到所述贯通孔内的所述第1导电材料，用电阻比所述第1导电材料低的第2导电材料来进行置换。

11.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述接触层的步骤包括以下步骤：

对于埋入到所述贯通孔内的所述第1导电材料，用电阻比所述第1导电材料低的第2导电材料来进行置换；以及

在所述半导体基板的背面，用所述第2导电材料形成与所述接触层相连的焊盘。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

同时形成所述接触层及所述焊盘。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，

同时形成所述接触层及所述焊盘的步骤包括以下步骤：

使用电阻比所述第1导电材料低的第3导电材料。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1导电材料是添加了杂质的多晶硅；

第2导电材料是钨；

第3导电材料是铜。

15.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括以下步骤：

形成与所述接触层电连接的接触件。

16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括以下步骤：

形成与所述接触件电连接的多层的布线及通路；以及

形成与所述多层的布线及通路电连接的布线层。