[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2008年12月18日提交的在先日本专利申请No.2008-322519的优先权，该申请的全部内容以引用的方式包括在此。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

作为便携式摄像机组件或摄影机、数字静态照相机、监视用照相机等中利用的固体摄像元件，已知CMOS图像传感器。在该CMOS图像传感器中，为了提高感度等像素性能而提出了背面照射型结构(例如参照文献1：日本特开2007-324629号公报)。即，该背面照射型结构是通过使光从没有设置电极层和布线层等的基板的背面侧入射，从而实现了聚光特性的提高。

发明内容

根据本发明一个方式的半导体装置包括：

半导体基板；

背面取出电极，在贯通所述半导体基板的接触孔内，隔着以均匀的膜厚形成的绝缘膜埋入第1导电材料，还用作对位用标记，用于在所述半导体基板的背面侧取出电极；以及

焊盘，设置在所述半导体基板的背面，与所述背面取出电极连接。

根据本发明一个方式的半导体装置的制造方法用于形成背面取出电极，该背面取出电极用于在半导体基板的背面侧取出电极，还用作对位用标记，该方法包括以下步骤：

在所述半导体基板中形成贯通孔；

在所述贯通孔的内壁上形成具有均匀膜厚的绝缘膜；以及

隔着所述绝缘膜，在所述贯通孔内埋入第1导电材料形成接触层。

附图说明

图1是示出根据本发明第1实施方式的半导体装置(背面照射型的CMOS图像传感器)的结构例的剖面图；

图2是示出根据第1实施方式的CMOS图像传感器的背面取出电极的结构例的平面图；

图3是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图4是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图5是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图6是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图7是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图8是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图9是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图10是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图11是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图12是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图13是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图14是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图15是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图16是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图17是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图18是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图19是示出用来说明根据第1实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图20是示出根据本发明第2实施方式的半导体装置(背面照射型的CMOS图像传感器)的结构例的剖面图；

图21是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图22是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图23是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图24是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图25是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图26是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；

图27是示出用来说明根据第2实施方式的CMOS图像传感器的制造方法的工序剖面图；