[实用新型]晶片研磨及切割保护结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片研磨及切割保护结构。

背景技术

在半导体晶片的制造过程中，由于在进行研磨程序或切割程序时，会产生晶片的碎屑或微粒，因此通常在进行研磨程序或切割程序时，会在晶片的表面加上一层研磨及切割的保护结构，以避免飞散的晶片碎屑或微粒造成研磨或切割后的晶片及芯片受到损伤或污染。

在一般的已知技术中，进行研磨(减薄)的程序是利用蓝色的研磨胶带作为保护的结构。但是已知技术中所使用的蓝色研磨胶带的缺点在于，该种研磨胶带的基材强度较低，因此在研磨的过程中晶片破裂的机率较高。再者，已知技术中所使用的研磨(减薄)胶带，在进行研磨之后，必须另外搭配一种撕除胶带来使用，以剥离先前所黏附上的研磨胶带。因此，使用先前技术的研磨胶带作为保护结构，容易由于研磨(减薄)后的晶片厚度变薄且强度变小，而造成因剥离时所产生的力量使晶片破损的情况。

再者，一般的已知技术中所使用作为保护结构的切割胶带，主要为UV胶带以及蓝色切割胶带。但使用UV胶带需要复杂的设备进行剥除。而蓝色切割胶带主要是使用冷冻法让切割胶带失去黏着性以剥除胶带，由于在回到室温的状况下，切割胶带很快地就会回复黏性，因此蓝色切割胶带的剥离作业便需要长时间反复的冷冻工程，因而使生产程序及生产成本升高。

因此，如何设计出一种晶片研磨及切割保护结构，其具备良好的固定能力，并且利用简易的机具，即可无残留地移除该保护结构，以有效地提升制造效率及节省成本，将是当前需要解决的技术问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种晶片研磨及切割保护结构，以期达到晶片在移除研磨及切割保护结构时，能够轻易且完整地移除，并且达到提升制造效率及节省成本的目的。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶片研磨及切割保护结构，其中该晶片研磨及切割保护结构包含一表面具有热剥离黏胶之基材膜以及一离型膜。其中该热剥离黏胶是以层状形成于基材膜之一端表面，该热剥离黏胶是由丙烯酸黏着剂、热剥离添加剂以及硬化剂所组成。其中作为黏胶的丙烯酸黏着剂含量为85至92％重量百分比、热剥离添加剂含量为7至14％重量百分比、以及硬化剂为1％重量百分比。又，该离型膜是通过热剥离黏胶与基材膜相黏合。在使用之前于贴附至被黏着物之前，会先将离型膜移除以将热剥离黏胶露出，并进行后续的黏合动作。又，前述之晶片研磨及切割保护结构，其中该基材膜可为软质或硬质的聚合物薄膜，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)等不同的材质的软质或硬质聚合物薄膜。前述之离型膜则可为纸质薄膜或聚合物薄膜。当使用聚合物薄膜时，该薄膜亦可为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)等不同的材质。前述之被黏着物可为半导体的制造过程中进行研磨及切割程序之晶片或芯片，亦可作为其它需要保护结构进行表面保护之被黏着物。

与现有技术相比，应用本实用新型，利用一种可通过简单加热程序即轻易脱落的研磨胶带及切割胶带，以形成一种晶片研磨及切割的保护结构。该保护结构可以具备良好的固定能力，并且利用简易的加热机具，即可无残留地移除该保护结构，可以有效地提升制造效率及节省成本。

附图说明

图1为本实用新型之晶片研磨及切割保护结构之使用示意图。

具体实施方式

为充分了解本实用新型之目的、特征及功效，兹通过下述具体之实施例，并配合所附之图式，对本实用新型做一详细说明，说明如后：

参照图1所示，作为本实用新型之晶片研磨及切割保护结构的受热剥离的研磨胶带及切割胶带可以卷状或片状的类型加以储存，在使用前该结构包含了一表面具有热剥离黏胶20之基材膜10，其中该热剥离黏胶20是利用涂布的方式以层状形成于基材膜10之一端表面，并于热剥离黏胶20另一端与离型膜30相黏合。在使用之前，是先将该离型膜30自热剥离黏胶20上剥离，使热剥离黏胶20之表面露出，之后将热剥离黏胶20黏合于如晶片或芯片等被黏着物40之表面上。待完成研磨或切割程序后，使用如加热器或烘箱等加热器具，将黏着有研磨及切割保护结构之被黏着物40以10秒至120秒的时间加热至90℃至110℃的温度。此时，热剥离黏胶20之黏着力将下降至零，接着即可通过如机械手臂等之移除装置或人工方式将黏附之研磨及切割保护结构加以移除。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本实用新型所公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。