[实用新型]连续式平面磁控溅射镀膜设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜设备，尤其是一种用于触摸屏用导电玻璃表面镀膜的连续式平面磁控溅射镀膜设备。

背景技术

触摸屏用导电玻璃上的导电层氧化铟锡(ITO)膜的制备方法主要有喷涂法、化学气相沉积法、浸渍法、真空蒸镀法和溅射镀膜法，其中的磁控溅射镀膜技术应用最广，所获得的膜层质量也更理想。触摸屏用导电玻璃要求有稳定的面电阻和较高的可见光透过率，通常玻璃本身的透过率只有90％左右，在镀上导电层氧化铟锡(ITO)膜后透过率会下降，因此为了达到镀膜后玻璃的透过率在94％以上，玻璃必须镀成增透膜，它与其它的光学薄膜有较大区别，对膜的增透和膜层厚度的均匀性要求较高，主要有五氧化二铌和二氧化硅组成的增透介质层膜以及氧化铟锡(ITO)的导电层膜，镀膜时需在玻璃上依次镀上增透介质层膜和导电层膜，而目前使用的镀膜设备在可控性方面及镀膜的均匀性方面效果并不理想，也不利于大批量生产。

实用新型内容

本实用新型的目的是：提供一种可控性好，镀膜效果均匀，可满足大批量生产要求的连续式平面磁控溅射镀膜设备。

本实用新型实现其目的所采用的技术方案是：一种连续式平面磁控溅射镀膜设备，具有顺序排列连接的进片室、前过渡室、镀膜室、后过渡室和出片室，进片室和前过渡室、前过渡室和镀膜室、镀膜室和后过渡室以及后过渡室和出片室之间分别设置有隔离阀门，进片室和出片室上分别管道连接有第一真空机组，前过渡室和后过渡室上分别管道连接有第二真空机组，镀膜室上管道连接有第三真空机组。

具体说，为了实现镀膜过程的连续性和可控性，确保镀膜层的均匀，所述的镀膜室包括顺序排列的五氧化二铌镀膜室、二氧化硅镀膜室和氧化铟锡镀膜室，五氧化二铌镀膜室和二氧化硅镀膜室以及二氧化硅镀膜室和氧化铟锡镀膜室之间分别设置有隔离阀门。

为保证镀膜时的真空度要求，所述的第一真空机组包括通过管道依次连接的滑阀真空泵、前级罗茨真空泵和后级罗茨真空泵，后级罗茨真空泵通过真空阀与进片室或出片室管道连接；所述的第二真空机组包括通过管道连接的滑阀真空泵、罗茨真空泵和高真空泵，高真空泵与前过渡室或后过渡室管道连接；所述的第三真空机组包括通过管道连接的滑阀真空泵、前级罗茨真空泵、后级罗茨真空泵和高真空泵，高真空泵与镀膜室管道连接。

进一步说，所述的高真空泵为涡轮分子泵。

本实用新型的有益效果是，本实用新型采用了一体式的镀膜室结构，并在此镀膜室中分列设置有既隔离又可连通的可镀不同膜层的独立镀膜室，由此可按工艺要求，分别在玻璃上镀上增透介质层和导电层，从而确保镀膜过程的一致性、连续性和可控性以及镀膜层的均匀，同时真空机组选用滑阀真空泵加罗茨真空泵加涡轮分子泵的组合，满足了镀膜时对镀膜室真空度的要求，保证了触摸屏用导电玻璃的质量。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图中1.进片室  2.前过渡室  3.镀膜室  31.五氧化二铌镀膜室32.二氧化硅镀膜室  33.氧化铟锡镀膜室  4.后过渡室  5.出片室6.隔离阀门  7.第一真空机组  71.滑阀真空泵  72.前级罗茨真空泵73.后级罗茨真空泵  74.真空阀  8.第二真空机组  81.罗茨真空泵82.涡轮分子泵  9.第三真空机组  10.放气阀

具体实施方式。

现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示的一种连续式平面磁控溅射镀膜设备，具有顺序排列连接的进片室1、前过渡室2、镀膜室3、后过渡室4和出片室5，进片室1和前过渡室2、前过渡室2和镀膜室3、镀膜室3和后过渡室4以及后过渡室4和出片室5之间分别设置有隔离阀门6，进片室1和出片室5上分别管道连接有第一真空机组7，前过渡室2和后过渡室4上分别管道连接有第二真空机组8，镀膜室3上管道连接有第三真空机组9。