[实用新型]垒晶晶片

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种垒晶晶片，且特别是有关于一种具有不同尺寸的焊垫及球底金属层的接触面积的垒晶晶片。

背景技术

在现今信息爆炸的社会，电子产品遍布于日常生活中，无论在衣食住行娱乐各方面，均会应用到集成电路组件所组成的产品，且伴随着电子科技不断地演进，功能性更复杂、更人性化的产品不断推陈出新，就电子产品外观而言，也朝向轻、薄、短、小的趋势设计，因此，在半导体封装(Package)的领域也对应开发出许多高密度半导体封装的技术，例如垒晶封装(Flip Chip，F/C)及球格阵列封装(Ball GridArray，BGA)等等。

垒晶封装技术主要是在晶片(Die)的焊垫(Pad)上形成凸块(Bump)之后，再将翻面后的晶片经由凸块而直接连接至基板(Substrate)或印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)上，与打线(Wire Bonding)及胶卷自动贴合(Tape Automatic Bonding，TAB)的封装技术相较之下，垒晶封装技术将可提供较短的信号传导路径，故具有较佳的电气特性。此外，垒晶封装技术也可设计将晶背裸露在外，用以提高晶片于运作时的散热效率。基于上述原因，垒晶封装技术普遍地运用在半导体封装产业上。

请参考图1，其为公知的一种垒晶晶片(Flip Chip Die)的剖面示意图。垒晶晶片100主要组成自晶片102及多个凸块114(仅绘示其中两个)，其中晶片102的主动表面(Active Surface)104上配置有一保护层(Passivation Layer)106及多个焊垫110(同样仅绘示其中两个)，而保护层106的开口108暴露出焊垫110。此外，为了增加凸块114与焊垫110之间的接合性，通常是配置球底金属层(Under Ball Metallurgy，UBM)112于焊垫110上，用以作为凸块114与焊垫110之间的接合媒介，最后使得垒晶晶片100可经由凸块114而连接至外界的基板或印刷电路板上。

请同样参考图1，依照功能上的不同，焊垫110可区分为信号焊垫(Signal Pad)及电源/接地焊垫(Power/Ground Pad)，而凸块114也可对应区分为信号凸块(Signal Bump)及电源/接地(Power/Ground Bump)。

值得注意的是，由于公知设计的焊垫110与球底金属层112之间的接触面积均相同，使得电流经由焊垫110流至球底金属层112的电流流量相同。为了达到晶片102的全部电源/接地所需的电流流量，公知是通过增加焊垫110的数量，特别是增加电源/接地焊垫的数目，来达成上述目的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种垒晶晶片，可允许较大的电流从焊垫通过球底金属层，而降低晶片的电源/接地焊垫的数目，并提供晶片更佳的电气性能。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是采用一种垒晶晶片，此垒晶晶片具有一晶片，其具有一主动表面、一保护层、至少一第一焊垫及至少一第二焊垫，其中保护层、第一焊垫及第二焊垫均配置于晶片的主动表面，且保护层暴露出第一焊垫及第二焊垫。此外，此垒晶晶片更具有至少一第一球底金属层，其配置于第一焊垫上，以及至少一第二球底金属层，其配置于第二焊垫上，其中第二球底金属层与第二焊垫之间的接触面积大于第一球底金属层与第一焊垫之间的接触面积。另外，此垒晶晶片具有包括至少一第一凸块，其配置于第一球底金属层上，以及至少一第二凸块，其配置于第二球底金属层上。

其中，

该第二凸块的高度相当于该第一凸块的高度。

该该第二焊垫所暴露出的面积大于该第一焊垫所暴露出的面积。

该第二球底金属层的分布面积大于该第一球底金属层的分布面积。

该第二焊垫的面积大于该第一焊垫的面积。

该晶片更具有一重配置线路层，其配置于该晶片的该主动表面，而该第一焊垫及该第二焊垫是由该重配置线路层所构成。

本实用新型的优点和有益效果在于：本实用新型的垒晶晶片具有焊垫与球底金属层的接触面积大小不同的设计，主要是通过增大保护层的开口的孔径，而增加焊垫所暴露出的面积，并同时增加球底金属层的分布面积，进而增加焊垫与球底金属层之间的接触面积，故可允许较大的电流从焊垫通过球底金属层。此外，本实用新型更可通过设计增加焊垫的面积，并对应增加开口的孔径，同时增加球底金属层的分布面积，也将增加焊垫与球底金属层之间的接触面积。