[实用新型]制造薄膜光伏电池的生产线有效
申请号: | 200920109152.X | 申请日: | 2009-06-22 |
公开(公告)号: | CN201425944Y | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 冯焕培;黎志欣;王军 | 申请(专利权)人: | 北京京运通科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 闫立德 |
地址: | 100176北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 薄膜 电池 生产线 | ||
技术领域
本实用新型属于制造薄膜光伏电池的生产线。
背景技术
薄膜光伏电池,包括CIGS光伏电池可替代单晶硅材料用作太阳能发电,晶体硅材料作为光伏发电材料价格昂贵,制作难度大,成本高,难以推广使用。最新的科学显示可以用在玻璃或其他材料的基板上用电子枪蒸镀方法镀数层金属和非金属薄膜来替代晶体硅材料用作太阳能发电,这种新材料价格低廉,利于推广使用。用电子枪蒸镀方法镀数层金属薄膜在基板上,要求薄膜必须厚度均匀,但目前的设备难以达到这样的要求。传统的电子枪蒸镀设备包括一个真空腔体,真空腔体内下端固定设置若干个电子枪,待镀的基板置于电子枪上端,完成电子枪蒸镀制膜。这种传统的设备不能保证基板上薄膜厚度的均匀,往往造成靠近电子枪的基板上薄膜厚,反之,则薄。而薄膜厚度的不均匀使基板光电转换率大幅下降,质量一致性差,难以在市场上推广使用。目前用电子枪蒸镀方法镀数层金属薄膜在基板上,是分别在各镀膜腔中加工的,各工序分离,尤其是在基板进入各镀膜腔前的准备工序过长,使加工速度慢,产量低,加工的产品质量难于保证,产品使用寿命短。
发明内容
本实用新型的目的是设计一种制造薄膜光伏电池的生产线,一次可以完成在基板上的镀膜作业,使各工序彼此连接,有镀膜均匀,加工速度快,成本低,质量好,产量大,可大幅度提高基板光电转换率,大幅延长其使用寿命的优点。
为此,本实用新型采用在该生产线包括一次镀膜装置、二次镀膜装置和三次镀膜装置,一次镀膜装置、二次镀膜装置和三次镀膜装置之间设有传送设备,所述的一次镀膜装置、二次镀膜装置和三次镀膜装置中包括镀膜腔,镀膜腔内设有喷涂作业时移动的电子枪和使电子枪移动的摆动装置。上述结构设计达到了本实用新型的目的。
本实用新型一次可以完成在基板上的镀膜作业,使各工序彼此连接,有镀膜均匀,加工速度快,质量好,成本低,产量大,可大幅度提高基板光电转换率,大幅延长其使用寿命的优点。
附图说明
图1是本实用新型的分布结构示意图
图2是本实用新型镀膜装置的结构示意图
图3是本实用新型镀膜装置的结构示意图
图4是本实用新型的镀膜腔内扫描支架的结构示意图
图5是图4的A-A剖面局部结构示意图
具体实施方案
如图1至图3所示,一种制造薄膜光伏电池的生产线,主要由镀膜腔6、传送设备2和激光刻线机11、12、15所组成。在该生产线包括一次镀膜装置70、二次镀膜装置71和三次镀膜装置72。一次镀膜装置、二次镀膜装置和三次镀膜装置之间设有传送设备,所述的一次镀膜装置、二次镀膜装置和三次镀膜装置中包括镀膜腔6,镀膜腔内设有喷涂作业时移动的电子枪7和使电子枪移动的摆动装置8。
所述的各次镀膜装置依次由装载腔4、缓冲腔5、镀膜腔6、缓冲腔10、卸载腔9和激光刻线机所组成,装载腔和卸载腔两端设有阀门3。传送设备为可运输待镀基板1的装载车,或为可运输待镀基板的滚动传动轮组等传统设备,故不再累述。
本实用新型从头至尾为:传送设备将待镀的基板运送至装载腔4、装载腔阀门3打开,传送设备将基板送至装载腔内,关闭阀门,装载腔内控温控压设备开始工作,形成与镀膜腔内相同的温压待镀条件后,打开位于装载腔与缓冲腔5之间的另一阀门,传送设备将基板送至缓冲腔内,进一步完善形成与镀膜腔内相同的温压待镀条件后,基板进入镀膜腔内由移动的数个电子枪完成镀一层膜,再经缓冲腔10、卸载腔9减压减温后。有一层镀膜的基板再经传送设备送入激光刻线机11刻线后,再经传送设备送入二次镀膜装置完成镀二层膜(同一次镀膜过程,故不再累述)。有二层镀膜的基板再经传送设备送入激光刻线机15刻线后,基板再经化学浸渡池14浸泡后,形成防护膜后,再经传送设备送入三次镀膜装置完成基板的三层镀膜(同一次镀膜过程,故不再累述)和刻线后,再经传送设备送至成品加工设备13(为传统设备,如焊接、切割机等设备)上,完成成品加工,成品16再经传送设备传出生产线。
本实用新型不仅仅限于三次镀膜装置,还可依次设多次镀膜装置。
本实用新型的数个电子枪位于摆动装置上,电子枪在移动状态下进行喷镀。
如图4所示,所述的摆动装置由扫描支架、摆盘和传动装置构成:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的