[实用新型]集成探测器无效
| 申请号： | 200920109468.9 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN201466029U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵福庭 | 申请（专利权）人： | 北京京仪博电光学技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;G02B5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100026 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成探测器，包括透光基片，其特征在于，所述透光基片的上表面集成有2个以上的滤光片，所述透光基片的下表面粘合有多元探测器。
2.根据权利要求1所述的集成探测器，其特征在于，所述透光基片的上表面集成有8个滤光片，且所述8个滤光片并排平行设置。
3.根据权利要求1所述的集成探测器，其特征在于，所述多元探测器为CMOS探测器。
4.根据权利要求1所述的集成探测器，其特征在于，所述多元探测器为硅光电二极管阵列多元探测器。
5.根据权利要求1所述的集成探测器，其特征在于，在各所述滤光片的下方均配置有衰减膜。
6.根据权利要求1所述的集成探测器，其特征在于，在各所述滤光片之间均设置有隔离层。
7.根据权利要求1-6所述的任一种集成探测器，其特征在于，所述集成探测器的外形尺寸为12mmX12mm，受光面积为10mmX10mm。
8.根据权利要求1-6所述的任一种集成探测器，其特征在于，所述透光基片由光学玻璃制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
