[实用新型]集成探测器无效
申请号: | 200920109468.9 | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN201466029U | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 赵福庭 | 申请(专利权)人: | 北京京仪博电光学技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G02B5/20 |
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地址: | 100026 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 探测器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种探测器,尤其涉及一种集成式的探测器,可以应用于光电探测系统、成分分析系统、医学生化分析仪器、医学酶标分析仪器等领域。
背景技术
目前,市场上销售的探测器,作用单一,耗时较长,体积较大,使用不便。以医学生化分析仪器为例,通常需要在340nm、380nm、405nm、492nm、510nm、546nm、578nm、630nm等8个光谱波段,分别测试血液的吸收光谱。
为此,需要使用单一波段滤光片与探测器组合,分别给出各个波段的探测信号。各种滤光片被放置在一个片盘中,测试时需要不断进行变换。这使得测试过程耗费时间较长,同时滤光片盘的体积较大,造成不便。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提高光电探测系统的工作效率和光电系统调试的便捷性。
为了实现本实用新型的上述目的,本实用新型提供了一种集成探测器,包括透光基片,所述透光基片的上表面集成有2个以上的滤光片,所述透光基片的下表面粘合有多元探测器。
根据本实用新型的优选方案,所述透光基片的上表面集成有8个滤光片,且所述8个滤光片并排平行设置。
根据本实用新型的优选方案,所述多元探测器为CMOS探测器。
根据本实用新型的优选方案,所述多元探测器为硅光电二极管阵列多元探测器。
根据本实用新型的优选方案,在各所述滤光片的下方均配置有衰减膜。
根据本实用新型的优选方案,在各所述滤光片之间均设置有隔离层。
根据本实用新型的优选方案,所述集成探测器的外形尺寸为12mmX12mm,受光面积为10mmX10mm。
根据本实用新型的优选方案,所述透光基片由光学玻璃制成。
与现有技术相比,本实用新型所具有的优点和有益效果为:
1.可实现同时探测多个通道的光电信号,明显节省测试时间;
2.可省去滤光片盘,缩小探测单元的体积;
3.本实用新型为了解决探测器光谱灵敏度所造成的各个通道信号的差异问题,使得整个光电系统的调试更为便捷,根据探测器在每个波段的响应灵敏度在每个单元配置衰减膜,对各个通道的光电信号进行调节,可以使多个波长信号的初始值接近一致,使电路系统处于良好的工作点,从而达到多路信号都处于接近的水平;
4.本实用新型还可以在每个单元的侧壁要设置隔离层,以便消除各单元之间的信号串扰。
附图说明
图1是本实用新型集成探测器优选实施例的分解状态立体示意图;
图2是本实用新型集成探测器优选实施例的组合状态立体示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1和图2所示,根据本实用新型优选实施例的集成探测器包括:透光基片2;集成在透光基片2上表面的2个以上的滤光片;粘合于透光基片2下表面的多元探测器3。
透光基片2可以为方形、矩形等形状,且透光基片2的材质不受限制,可以在本实用新型的发明目的范围内进行调整,优选的是,透光基片2由光学玻璃材料制成。
优选的是,在透光基片2的上表面可以集成有8个滤光片1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G和1H,且滤光片1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G和1H并排平行设置。通过这种设置,本实用新型可以实现同时探测8个通道的光电信号,明显可以节省测试时间,同时可省去滤光片盘,缩小探测单元的体积,因此极大地提高了光电探测系统的工作效率,并提高了光电系统调试的便捷性。
要注意的是,虽然图1和图2中示出了8个滤光片,但是本实用新型并不以此为限,而是可以根据实际情况进行调整,例如,本实用新型的集成探测器可以包括2、3、4、5、6或者7个滤光片。
多元探测器3的种类不受限制,可以在本实用新型的发明目的范围内进行调整,优选的是,多元探测器3可以为CMOS探测器或者硅光电二极管阵列多元探测器。在多元探测器3上形成有多个接线脚6,用于与电路板进行电连接。
为使各波长信号的初始值接近一致,使电路系统处于良好的工作点,优选的是,可以在各滤光片1的下方根据探测器在每个波段的响应灵敏度配置衰减膜4(图中示出了8个衰减膜4),以对各个通道的光电信号进行调节,从而达到2个以上的光电信号都处于接近的水平。
为了消除各滤光片1之间的信号串扰,根据优选方案,可以在各滤光片1之间设置隔离层5。
本实用新型的集成探测器的外形尺寸优选为12mmX12mm,受光面积优选为10mmX10mm。
下文将参照附图对本实用新型的工作原理进行简单描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的