[实用新型]电容L形排列的双面双用硅麦克风有效
| 申请号： | 200920117096.4 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN201393299Y | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 冯金奇 | 申请（专利权）人： | 浙江新嘉联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314100浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 排列 双面 双用硅 麦克风 | ||
【权利要求书】：
1、电容L形排列的双面双用硅麦克风，它有上下两端开口的框架，开口的上下两端分别封有上PCB板和下PCB板，形成一容置空腔，容置空腔内包括有MEMS晶片、IC晶片及两个电容，并贴装于下PCB板的内表面上，其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相应的电路结构，在框架内壁设有突块，突块的侧面设有金属层，金属层与相应的MEMS晶片、IC晶片及两个电容连通，突块上的金属层均与在上PCB板和下PCB板外表的上触点和下触点导通，形成双面电气连接通路；所述的两个电容在框架内呈L形布置；在框架与上PCB板以及框架与下PCB板的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈。
2、根据权利要求1所述的电容L形排列的双面双用硅麦克风，其特征是在突块与下PCB板和上PCB板之间设有与上触点和下触点导通的导电层。
3、根据权利要求1所述的电容L形排列的双面双用硅麦克风，其特征是所述的金属层为金属化层。
4、根据权利要求1所述的电容L形排列的双面双用硅麦克风，其特征是所述的金属圈为金属化层。
5、根据权利要求1所述的电容L形排列的双面双用硅麦克风，其特征是所述的突块、金属层、上触点和下触点有相对独立的两组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江新嘉联电子股份有限公司，未经浙江新嘉联电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920117096.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
