[实用新型]电容L形排列的双面双用硅麦克风有效
申请号: | 200920117096.4 | 申请日: | 2009-04-09 |
公开(公告)号: | CN201393299Y | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 冯金奇 | 申请(专利权)人: | 浙江新嘉联电子股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314100浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 排列 双面 双用硅 麦克风 | ||
技术领域
本实用新型涉及传声器,尤其涉及电容L形排列的双面双用硅麦克风。
背景技术
通常的硅麦克风使用的电源和音频输出节点都是在硅麦克风内通过接线引到硅麦克风的PCB板表面,硅麦克风内的两个电容布置成“一”字形排列。这样的结构复杂,连接的可靠性差,制造成本高,而这种电容的布置方式,限制了MEMS晶片的体积,而硅麦克风的性能,在一定程度上取决于MEMS晶片的体积。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种结构简单、制造方便、连接可靠、性能优良的电容L形排列的双面双用硅麦克风。
为了达到上述要求,本实用新型的技术方案是:它有上下两端开口的框架,开口的上下两端分别封有上PCB板和下PCB板,形成一容置空腔,容置空腔内包括有MEMS晶片、IC晶片及两个电容,并贴装于下PCB板的内表面上,其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相应的电路结构,在框架内壁设有突块,突块的侧面设有金属层,金属层与相应的MEMS晶片、IC晶片及两个电容连通,突块上的金属层均与在上PCB板和下PCB板外表的上触点和下触点导通,形成双面电气连接通路;所述的两个电容在框架内呈L形布置;在框架与上PCB板以及框架与下PCB板的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈。
根据上述方案制造的电容L形排列的双面双用硅麦克风,其优点是该硅麦克风内电子元件的接线引出由框架内壁突块上的金属层形成的通路来完成,接线紧贴在框架突块侧面壁上,使得连接可靠,加工和使用方便,在框架与上PCB板和下PCB板的接触面之间设的金属圈可以使整个硅麦克风不受外界电磁信号的干扰。电容呈L形布置后使得框架内更加合理,让出的空间给MEMS晶片,能使MEMS晶片的体积足够大。上PCB板和下PCB板的两个外表面均有双面贴装功能,适用于不同需要的PCB贴装工艺。因此,该结构具有连接可靠、工艺处理简单,制造和使用方便,性能好的优点。
附图说明
图1是电容L形排列的双面双用硅麦克风局部剖视后的立体示意图;
图2是电容L形排列的双面双用硅麦克风的立体示意图。
其中:1、框架;2、上PCB板;3、下PCB板;4、容置空腔;5、MEMS晶片;6、IC晶片;7、电容;8、突块;9、金属层;10、导电层;11、上触点;12、金属圈。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的描述。
图1、图2是电容L形排列的双面双用硅麦克风的结构示意图。从图中看出,它有上下两端开口的矩形框架1,开口的上下两端分别封有上PCB板2和下PCB板3,形成一容置空腔4,容置空腔4内包括有MEMS晶片5、IC晶片6及两个呈L形布置的电容7,并贴装于下PCB板3的内表面上,在上PCB板2和下PCB板3的外表面上都排布有相应的电路结构,在框架1内壁设有突块8,突块8的侧面设有金属层9,金属层9与相应的MEMS晶片5、IC晶片6及两个电容7连通,突块8上设有导电层10,加强了电气连接的可靠性又增加了产品的环境变化的适应性,导电层10再与金属层9及在上PCB板2和下PCB板3外表的上触点11和下触点(在上触点11对称的下PCB板3的外表上)导通,形成双面电气连接通路。在框架1与上PCB板2以及框架1与下PCB板3的周边接触面之间分别设有封闭的环状金属圈12,该金属圈12起到接地线作用的同时,又可起到屏蔽作用,增强产品的抗高频干扰能力,环状金属圈12的设计增强了产品封装过程中的密封性和一致性。上述的金属层9和金属圈12均为金属化层。所述的突块8、金属层9、上触点11和下触点共有相对独立的两组,是分别用于MEMS晶片5、IC晶片6的电源和音频输出的连接点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江新嘉联电子股份有限公司,未经浙江新嘉联电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920117096.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。