[实用新型]一种T0220F外形三极管产品的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体的封装结构，特别是涉及一种T0220F外形三极管产品的封装结构。

背景技术

现有大部分半导体的封装结构中，一般包括金属底板，该金属底板上连接有外接引线端子，另外两根外接引线端子均悬空设置，三极管芯片的背面则直接粘接在金属底板上，在封装时，将三极管芯片正面各电极焊接点通过铝丝线键合与悬空的两根外接引线端子进行键合，然后通过封装工艺包裹成型。在这种半导体的封装结构中，首先，三极管芯片的背面直接粘接在金属底板上，三极管芯片背面与金属底板之间是导电的；另外，金属底板上一般只粘接一颗半导体芯片，一颗半导体芯片的功率一般不会太大。一些对功率等电参数有特殊需求的半导体器件，如果采用上述封装结构，很难达到要求。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种T0220F外形三极管产品的封装结构，采用这种封装结构的T0220F外形三极管产品具有较好的功率和较好的散热性。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：该T0220F外形三极管产品的封装结构，包括金属衬底和三个并排设置的外接电极端，这三个外接电极端中第一外接电极端与所述金属底板相电连接，而第二外接电极端与第三外接电极端与所述金属底板之间保持不连接的悬空设置状态，其特征在于：所述金属衬底的表面上设置有相互分隔的第一芯片粘接区和第二芯片粘接区，并且第一芯片粘接区和第二芯片粘接区表面上设置有密集的呈点阵型分布的凹点，第一三极管芯片的背面粘接在第一芯片粘接区的表面上，第二三极管芯片的背面粘接在第二芯片粘接区的表面上，第一三极管芯片的正面通过导电线与第二外接电极端相连，第二三极管芯片的正面通过导电线与第三外接电极端相连。

较好的，所述金属衬底的顶部设置有用于定位的U型开口。

作为改进，本实用新型的封装结构中还包括有塑料包裹体外壳，所述金属衬底、第一三极管芯片、第二三极管芯片及导电线均设置在所述包裹体外壳内部。而所述第一外接电极端、第二外接电极端、第三外接电极端均延伸至所述塑料包裹体外壳之外。

上述第一三极管芯片和第二三极管芯片可以采用为性能和/或功能不同的三极管芯片，本实用新型中第一三极管芯片和第二三极管芯片采用为性能和/或功能相同的三极管芯片。

所述导电线为铝丝线，并且第一三极管芯片的正面通过两根铝丝线与第二外接电极端相连，第二三极管芯片也通过两根铝丝线与第三外接电极端相连，可以保证较好的电连接性能。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过在金属底板上用于粘贴三极管芯片的粘片区表面设置凹点，使粘贴在布满凹点的粘片区上的三极管芯片锡层的空洞比率降低到小于整个芯片面积的5％，产品工作时的热量尽快通过凹点发散出去，达到较好的散热效果；本实用新型二颗二极管芯片的共同封装在同一引线框架上，形成一个完整的整流半桥模块，使实际使用更加方便；本实用新型因其采用高导热的绝缘塑料，全塑料绝缘材料的外壳，使其具体有良好的电绝缘性，安装使用在PCB板上时，可免除再使用绝缘材料之事；测试数据证明：该封装结构的半导体产品，同时具有小于100纳秒的反向恢复时间的优良特性！

附图说明

图1为本实用新型实施例的立体结构示意图；

图2为本实用新型实施例去掉塑料包裹体外壳后的示意图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图1和图2所示的半导体的封装结构，包括金属衬底1、三个并排设置的外接电极端、塑料包裹体外壳7，这三个外接电极端中第一外接电极端2与金属底板1相电连接，而第二外接电极端3与第三外接电极端4与金属底板1之间保持不连接的悬空设置状态，金属衬底1的表面上设置有相互分隔的第一芯片粘接区11和第二芯片粘接区12，并且第一芯片粘接区11和第二芯片粘接区12表面上设置有密集的呈点阵型分布的凹点，第一三极管芯片5的背面粘接在第一芯片粘接区11的表面上，第二三极管芯片6的背面粘接在第二芯片粘接区12的表面上，第一三极管芯片5的正面通过两根铝丝线与第二外接电极端3相连，第二三极管芯片6的正面通过两根铝丝线与第三外接电极端4相连。金属衬底1的顶部设置有用于定位的U型开口8。金属衬底1、第一三极管芯片5、第二三极管芯片6及导电线均设置在包裹体外壳7内部。第一外接电极端2、第二外接电极端3、第三外接电极端4均延伸至所述塑料包裹体外壳7之外。第一三极管芯片5和第二三极管芯片6为性能和/或功能相同的三极管芯片。