[实用新型]一种半导体分立器件的引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电子零件，特别涉及一种用于驻极体传声器的半导体分立器件的引线框架。

背景技术

在半导体分立器件后部封装的制造过程中，利用粘接材料或共晶焊接技术将半导体芯片固定到引线框架的载片台上，半导体芯片的各电极通过键合线连接到引线框架的引出极上，密封树脂封装半导体芯片、内引线载片台和键合引线，引线框架的引出极从密封树脂中伸出。通常这种引线框架都是标准的例如TO-92、SOT-23等。

驻极体传声器是由场效应半导体分立器件、驻极体电容和圆筒形壳体组装而成。现有技术的驻极体传声器组装工艺一般分为二种，一是采用TO-92SP引线框架封装的场效应器件，由于场效应器件需要安装在驻极体传声器的壳体内，其壳体内部空间十分窄小，因此平行引出的三条引出极中的一条引出极需要拆弯180°与驻极体传声器的驻极板点焊或弹性联接，另二条引出极焊接在驻极体传声器的电路底板上并作为其输出，这种方法常用于较大体积的驻极体传声器上，它可用于例如录音机、电话机等上。随着手机、小型耳机等的发展，需要一种更小型的驻极体传声器，因此另一种采用SOT-23引线框架封装的场效应器件应用于小型驻极体传声器的方法得到了发展，其工艺是在一特殊的双面电路底板上贴装SOT-23场效应器件，再用一铜环与驻极板联接，但这种工艺方法的成本更高。另一方面SOT-23引线框架封装的场效应器件虽然一条引出极是反方向的，但由于引线框架较薄而无法采用点焊或弹性联接。

发明内容

为克服现有技术的上述缺点，本实用新型提供一种半导体分立器件的引线框架，利用这种引线框架所生产的场效应器件具有双向引出极，适用于驻极体传声器以替代TO-92SP和SOT-23引线框架封装的场效应器件。

本实用新型实现上述目的的技术方案为：一种半导体分立器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成，其特征在是：所述引线框架包含上引导排和下引导排并由中筋支撑联接；所述上引导排联接第一引出极以及载片台，下引导排联接第二引出极和第三引出极；第二引出极和第三引出极与第一引出极反方向引出，载片台在第二引出极和第三引出极的上部；所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。

所述引线框架是重复联接排列。

所述下引导排重复等距排列引导孔。所述引导孔的形状一边半圆、一边是矩形。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：一是由于其具有反方向引出极，使其结构更有利于驻极体传声器的组装，提高了产品的质量和成本；二是其厚度比SOT-23引线框架提高，使其能够采用点焊或弹性联接；三是其载片台在第二引出极和第三引出极的上部，载片台面积变大，减低了在载片台上安装半导体芯片的精度要求。

附图说明

图1为本实用新型一种半导体分立器件的引线框架结构示意图；

图2为本实用新型引线框架的重复联接排列示意图。

具体实施方案

以下结合附图1、附图2实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图1所示，是本实用新型一种场效应器件的引线框架，用于驻极体传声器的半导体分立器件组装，其通过冲压或刻蚀方法图形化处理而形成。所述引线框架包含上引导排1和下引导排7并由中筋8支撑联接；常规的TO-92SP三引出极平行引出在同一方向，因此其仅有下引导排7。

所述上引导排1联接第一引出极2以及载片台3，下引导排7联接第二引出极4和第三引出极5；为了使其中一个引出极与其它二个反方向引出，因此本实用新型设计了上下两个引导排。

第二引出极4和第三引出极5与第一引出极2反方向引出，载片台3在第二引出极4和第三引出极5的上部；SOT-23引线框架的载片台在第二、三引出极的中间，这种结构的引线框架虽可以缩小封装体积，但不利的是其在载片台上安装半导体芯片的精度要求较高。

所述引线框架的厚度是0.15-0.37mm。可适用于驻极体传声器的点焊或弹性联接。

如图2所示，所述引线框架2是重复联接排列，一般是五十位。所述下引导排7重复等距排列引导孔6。所述引导孔6的形状一边半圆、一边是矩形，这种结构的引导孔有利于自动机器装片。

本实用新型的引线框架与TO-92SP相比具有双向引出极；与SOT-23相比有较厚的引出极并且降底了载片台3上安装半导体芯片的精度要求。同时在其封装体积可以比TO-92SP做得更小。因此本实用新型可以把上述两种工艺方法统一为一种，有利于驻极体传声器的产业化生产和降低其生产成本。

有益的是本实用新型有利于但并不仅局限于驻极体传声器的工艺改善，也可应用于其它有特殊需要的半导体分立器件的制造。