[实用新型]无水迹基片清洗干燥装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种无水迹基片清洗干燥装置，具体地说，涉及在对用于生产半导体晶片的圆形硅基片，用于生产计算机磁记录存储器(HDD)介质的玻璃、陶瓷和铝质圆形基片，用于生产光学记录存储器光盘(CD)、数字通用光盘(DVD)塑料圆形基片，用于生产光学器件的玻璃圆形基片的抛光、清洗装置中，无水迹清洗干燥基片的装置。

背景技术

圆形硅基片，玻璃、陶瓷、塑料和铝质圆形基片广泛应用于半导体、计算机、信息工业、及民用产品中。在基片的生产过程中，必需对基片反复进行碾磨、化学机械抛光(CMP，Chemical mechanical polishing)，通过使用去离子水(DIW)或化学品的湿法清洗工艺，去除残留在表面的化学物质、小颗粒和其它杂质，降低基片的表面粗糙度，提高基片的表面光洁性，从而提高产品的成品率。

在现有的基片抛光、清洗装置中，基片由基片传递组件和基片升降组件垂直放置于基片清洗容器中，清洗液体供给组件提供基片清洗容器清洗液体，对基片清洗容器中的基片进行清洗。在完成基片清洗步骤后，基片由基片传递组件和基片升降组件传送至基片干燥容器，对基片进行干燥步骤。

现有的一种基片清洗干燥装置，其基片干燥容器安装在基片清洗容器上方，组合成一整体的基片清洗干燥装置。在基片从基片清洗容器提升出来时，基片干燥容器供给经加热的氮气对基片进行干燥。由于基片放置在基片支撑架上，位于基片与基片支撑架接触处的清洁液体无法在基片提升时排出，在干燥过程时接触处的清洁液体在基片表面上形成水迹。现有的另一种基片清洗干燥装置，其基片气体干燥室安装在基片清洗容器上方，在基片传递组件传送基片时打开与关闭。在基片从基片清洗容器提升出来时，基片气体干燥室供给室温的异丙醇(IPA)气体，对基片进行干燥。在干燥过程中，基片放置在基片支撑架上，位于基片与基片支撑架接触处的清洁液体无法在基片提升时排出，在基片表面上形成水迹。由于干燥过程在室温下进行，基片的相对湿度也无法满足工艺要求。因而降低了设备的清洗干燥效果，从而影响了设备的生产效率和基片的成品率。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种无水迹基片清洗干燥装置，用于在基片的抛光、清洗装置中，对基片进行无水迹清洗干燥。用于本实用新型的基片可以是圆形硅基片，磁记录介质基片，以及具有相似形状结构的其他圆形盘状基片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种无水迹基片清洗干燥装置，其特征是其包括：基片清洗容器，用于清洗基片；基片气体干燥室，用于基片从基片清洗容器中提升时供给室温干燥气体；基片干燥容器，用于供给高温干燥气体对基片进行高温气体干燥；以及基片传递组件，用于将基片从基片清洗容器传送至基片干燥容器；其中，基片气体干燥室布置在基片清洗容器的上方，基片清洗容器与基片干燥容器并行排列，基片传递组件布置在基片清洗容器与基片干燥容器的一侧。

本实用新型无水迹基片清洗干燥装置采用在基片清洗容器中室温干燥气体干燥和在基片干燥容器中高温干燥气体干燥的二步干燥法。在完成基片清洗容器的室温干燥气体的干燥后，基片传递组件将基片从基片清洗容器的基片支撑架上取出，由于室温干燥气体干燥后基片表面上的水迹未干，在重力的作用下，水迹沿基片边缘流向基片底部(六点钟处)。基片传递组件将基片传送至基片干燥容器，在其基片支撑架的底部支撑块上部形成刀尖状，当基片放入基片支撑架时，底部支撑块上部的刀尖状与基片底部的水迹接触，水迹沿刀尖面流下，因而减小或消除了基片底部的水迹。同时由于基片干燥容器采用高温干燥气体的干燥，基片干燥后，基片的相对湿度能满足工艺的要求。

前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中基片从基片清洗容器中缓慢提升至基片气体干燥室。

前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中用于基片气体干燥室的室温干燥气体是室温异丙醇(IPA)气体。

前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中用于基片干燥容器的高温干燥气体是高温干燥清洁空气(CAD)或氮气(N2)。

前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中用于基片干燥容器的基片支撑架的底部支撑块上部成刀尖状。

前述的无水迹基片清洗干燥装置，其中基片传递组件的基片取放组件布置在基片上方，打开和关闭基片取放组件从基片支撑架上取放基片。