[实用新型]薄框架三极管有效
| 申请号： | 200920132923.7 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN201438465U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 辛杰;王明珠 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L23/495;H01L23/13 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 框架 三极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种三极管，包括框架及焊接在框架上的芯片，其特征在于：所述框架的引脚厚度为0.35-1.20mm，框架的本体厚度为0.35-1.20mm。
2.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述框架的引脚厚度为0.50-0.90mm，框架的本体厚度为0.50-0.90mm。
3.根据权利要求2所述的三极管，其特征在于：所述框架的引脚厚度为0.51mm，框架的本体厚度为0.51mm。
4.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述框架为铜框架。
5.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述三极管采用TO-220封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市晶导电子有限公司，未经深圳市晶导电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920132923.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电机机壳结构
- 下一篇：用于快速测定挥发性有机物的二合一测试系统
- 同类专利
- 专利分类
