[实用新型]薄框架三极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种三极管。

背景技术

三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

随着半导体技术的发展，三极管的封装技术同样快速向前发展。为了减小成本，工艺方面进行着不断革新，如半导体芯片特征尺寸的缩小，引入大量的新材料、新工艺和新器件结构。

通常，三极管的框架由金属材料制成，起着导电及散热的作用。框架在三极管的成本中占据一定的比重，在某些导电及散热性能要求较高的三极管中，框架由纯铜材料制成，并且具有一定的厚度(例如1.30mm)，从而使得三极管的成本较高。

实用新型内容

有鉴于此，有必要针对传统三极管成本较高的问题，提供一种成本较低的三极管。

一种三极管，包括框架及焊接在框架上的芯片，所述框架的引脚厚度为0.35-1.20mm，框架的本体厚度为0.35-1.20mm。

优选的，所述框架的引脚厚度为0.50-0.90mm，框架的本体厚度为0.50-0.90mm。

优选的，所述框架的引脚厚度为0.51mm，框架的本体厚度为0.51mm。

优选的，所述框架为铜框架。

优选的，所述三极管采用TO-220封装。

上述三极管框架的引脚厚度为0.35-1.20mm，框架的本体厚度为0.35-1.20mm，该三极管框架的本体厚度小于传统三极管框架的本体厚度(一般为1.27mm-1.30mm)，从而可以节省成本。

附图说明

图1是三极管框架的示意图。

图2是传统三极管框架的厚度示意图。

图3是本实施方式三极管框架的厚度示意图。

具体实施方式

封装完成后的三极管主要包括芯片、框架、连接芯片与框架的键合丝、保护芯片与键合丝的塑封外壳等。在以下的实施方式中，根据三极管的生产和使用性能要求，在不对其产生影响的情况下，通过减少框架厚度，实现节约材料以降低物料成本，同时降低了产品的重量，使单个产品的运输费用降低。

图1是三极管框架的示意图。三极管的框架100包括本体110、引脚120、中筋130、底筋140及顶筋150。引脚120包括发射极引脚122、集电极引脚124与基极引脚126。其中，集电极引脚124直接与本体110相连，发射极引脚122与基极引脚126分别位于集电极引脚124的两侧。中筋130在靠近本体110的一端连接发射极引脚122、集电极引脚124与基极引脚126；底筋140在另一端连接发射极引脚122、集电极引脚124与基极引脚126，底筋140可以将多个三极管的框架100连接在一起；顶筋150可以将多个三极管的本体110连接在一起。

请一并参阅图2和图3，图2是传统三极管框架的厚度示意图，图3是本实施方式三极管框架100的厚度示意图。传统三极管框架的本体厚度是1.30mm，引脚厚度是0.5mm；而本实施方式三极管框架100的本体厚度是0.51mm，引脚厚度是0.51mm。由此可以看出，本实施方式三极管框架100的本体厚度较传统的三极管框架的本体厚度减少了约0.8mm。在其他实施方式中，框架本体110与引脚120的厚度可以不一致。

从理论上来说，框架100的厚度越薄，就越能节约材料。然而，框架变薄会影响框架的导电和散热性能，更重要的是，框架变薄会给实际的生产过程带来很多困难，例如加工过程中容易变形引起虚焊等，因此，框架不能无限制的变薄。经过多次实验表明，三极管框架100的本体110的厚度控制在0.35-1.20mm，引脚120的厚度控制在0.35-1.20mm较为合适。

三极管框架本体110的厚度变薄后，继续采用传统的工艺条件进行加工是不可行的，因此需要对生产工艺做一些改变。

与传统工艺相比，压模头距离框架的距离明显变大，在点过焊料后，压模头可能因为与框架距离过大而无法将焊料压开压匀，而在邦头粘片时，会因框架变薄而无法正确放置芯片，导致粘片过程中使芯片背面产生焊料的局部不均，或形成焊料空洞。这会对三极管的性能产生很大的影响。其实，改变设备参数的设置即可解决如上一些问题。降低压模头的高度可使压模头对焊料均匀挤压，使焊料图形良好。降低粘片时邦头的高度即可使邦头正确放置芯片，避免粘偏和焊料空洞。