[实用新型]低频磁场发射电路无效
| 申请号： | 200920136040.3 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN201383077Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市航盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B15/02 | 分类号： | G05B15/02;H04B1/04 |
| 代理公司： | 广东星辰律师事务所 | 代理人： | 李启首 |
| 地址： | 518103广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低频 磁场 发射 电路 | ||
1、低频磁场发射电路，其应用于包括基站和应答器的车用免持式被动无钥门禁系统中，该电路包括：
MCU；
稳压模块，其与MCU连接，向MCU提供检测电压；
包含多个电感的LC谐振回路，其受MCU的激励发射电磁波；
其特征在于，所述低频磁场发射电路，进一步包括：
电流传感器，其检测稳压模块输出的电流信号，向MCU输出检测结果，并将取样采集到的稳压模块的电压输出给MCU检测；
CMOSFET，其由稳压模块提供驱动电压，并根据MCU的命令驱动LC谐振回路轮循发射电磁波。
2、如权利要求1所述低频磁场发射电路，其特征在于：
所述稳压模块通过分压电阻(R4)和分压电阻(R5)与MCU连接。
3、如权利要求1所述低频磁场发射电路，其特征在于：
所述稳压模块经第一电阻(R6)与电流传感器的输入端连接。
4、如权利要求1所述低频磁场发射电路，其特征在于：
所述电流传感器的输出端经一嵌位二极管连接到电源。
5、如权利要求1所述低频磁场发射电路，其特征在于：
所述CMOSFET为四通道CMOSFET。
6、如权利要求1所述低频磁场发射电路，其特征在于：
所述LC谐振回路为对称结构。
7、如权利要求1所述低频磁场发射电路，其特征在于：
所述LC谐振回路还包括两组电容，第一组电容(C36、C16、C20、C23)将MCU输出的方波整成类正弦波，第二组电容(C38、C18、C21、C25)补偿调整谐振电容值。
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