[实用新型]耐热防潮大功率引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体电子元器件的制造技术领域，尤其指一种三极管元器件的引线框架分立器件制造技术。

背景技术

三极管是一种应用范围极广的电子元器件，它被广泛应用于诸如节能灯、充电器、输变电和开关电源等电器制造领域；其中大功率器件应用的三极管引线框架产品，由于散热温升方面的性能要求，它对基体与塑料封料的结合强度和散热要求更高。此类早期的产品普遍采用平面基体直接封装方式生产三极管，这种三极管使用后容易产生分层和受潮短路现象；后来有人发明了一种在芯片部两侧边缘设置缺口的产品，有效地增强了引线框架基材与塑料封料的结合力。但此类产品由于在芯片边缘设置了多个缺口，其侧边形状变得复杂、四周表面积增加，由此导致轧制加工冲压力增大，模具寿命大大缩短。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有同类产品存在的芯片边缘设置多个缺口后使四周表面积增加、轧制加工冲压力增大导致模具寿命缩短的缺陷和不足，向社会提供一种芯片侧边形状简单、轧制加工方便、散热效果好、基材与塑料封料结合牢固的引线框架产品。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：耐热防潮大功率引线框架包括承载芯片的芯片岛、中间导脚和两个侧导脚；所述中间导脚与两个侧导脚间设有连接片；所述芯片岛正面边框部设有矩形凹槽，位于所述矩形凹槽内的芯片岛表面均布有多道水平凹槽；所述芯片岛背部的左右两侧沿伸有散热突缘，所述散热突缘与芯片岛背面设有台阶凹槽过渡；所述两个侧导脚根部的焊接区折弯部设有横向沟槽。

所述芯片岛头部连接孔的背部端口设环状沉槽，所述环状沉槽与所述连接孔内壁相交部设有凸起卡环。所述矩形凹槽上端两侧与所述连接孔之间设有斜向凹槽。所述芯片岛承载芯片的矩形区域不电镀镍，其它区域的引线框架纯铜表面都镀镍。

本实用新型产品的芯片岛侧边形状简单、轧制加工方便；在芯片岛正面设置矩形凹槽、横向沟槽、水平凹槽和斜向凹槽，在背面设置台阶凹槽和环状沉槽，封装后塑料封料填充于这些沟槽、凹槽和沉槽等部位，大大提高塑料封料与金属基材结合力，有效防止分层现象的产生，也有助于提高密封性和防水防潮性能；封装后的三极管产品，芯片岛背部左右两侧的散热突缘依然暴露在外界，可将芯片岛热量快速传递并散发。除承载芯片的芯片岛矩形区域不电镀镍，其它区域的引线框架纯铜表面都镀镍保护，既可防止表面氧化，也利于采用铝丝线焊接键合芯片，降低封装材料成本。

附图说明

图1是本实用新型引线框架结构示意图。

图2是图1的左视图。

图3是图1的A-A向剖视图。

图4是图1的B-B向剖视图。

具体实施方式

如图1至图4所示，以行业编码为TO-247型号的大功率引线框架产品为例，本实用新型包括承载芯片的芯片岛6、中间导脚5和两个侧导脚7；所述中间导脚5与两个侧导脚7间设有连接片3作固定，以保证本产品在连续轧制时三个导脚不发生变形错位。所述两个侧导脚7根部的焊接区10折弯部设有横向沟槽14；所述芯片岛6正面边框部设有矩形凹槽4，位于所述矩形凹槽4内的芯片岛6表面均布有多道水平凹槽8；所述芯片岛6背部的左右两侧沿伸出散热突缘9，所述散热突缘9与芯片岛6背面设有台阶凹槽11过渡。所述芯片岛6头部连接孔1的背部端口设环状沉槽2，所述环状沉槽2与所述连接孔1内壁相交部设有凸起卡环12，有效防止塑料封料与金属基材分层。所述矩形凹槽4上端两侧与所述连接孔1之间设有斜向凹槽13，提高结合力和防水性能。所述芯片岛6承载芯片的矩形区域不电镀镍，保持纯铜表面以提高与集成电路芯片的结合牢固度；其它区域的引线框架纯铜表面都镀镍15保护，防止本产品封装前的表面氧化，也利于采用铝丝线焊接键合芯片。

下面继续结合附图，简述本实用新型产品的工作原理。应用本产品封装后，塑料封料填充并包覆于所述芯片岛6、所述中间导脚5和两个侧导脚7的焊接区域，而双侧散热突缘9仍暴露在外界，故芯片岛6区域工作时产生的热量可以通过散热突缘9快速散发；塑料封料填充于横向沟槽14、矩形凹槽4、环状沉槽2、斜向凹槽13、台阶凹槽11和水平凹槽8等部位后，大大提高了塑料封料与金属基材的结合力。