[实用新型]一种纵向磁场息弧装置及气体绝缘负荷开关无效
申请号: | 200920146965.6 | 申请日: | 2009-03-28 |
公开(公告)号: | CN201425916Y | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 陈微琴 | 申请(专利权)人: | 陈微琴 |
主分类号: | H01H33/18 | 分类号: | H01H33/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325600*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纵向 磁场 装置 气体 绝缘 负荷 开关 | ||
1、一种纵向磁场息弧装置,包括铜环芯子(1)、绕组(2)、抱箍组件(3)、导弧片(4)和安装支架(5);其特征在于:所述绕组(2)围绕所述铜环芯子(1)外表面设置;所述抱箍组件(3)包括抱箍(31)和螺栓紧固件(32);所述抱箍(31)套设在所述绕组(2)的外表面上,所述螺栓紧固件(32)紧固连接所述抱箍(31)的两侧端;所述铜环芯子(1)与所述绕组(2)的起始端电连接,所述抱箍(31)与所述绕组(2)的末端电连接;所述导弧片(4)的一端焊接固定在所述铜环芯子(1)上,其另一端朝向所述铜环芯子(1)外侧方向伸展;所述安装支架(5)的一端焊接固定在所述抱箍(31)上。
2、根据权利要求1所述的纵向磁场息弧装置,其基本特征在于:所述安装支架(5)与所述导弧片(4)相对设置在所述绕组(2)的沿铜环芯子(1)中心轴向方向上的两侧端。
3、根据权利要求1所述的纵向磁场息弧装置,其基本特征在于:所述绕组(2)在沿铜环芯子(1)中心轴向方向上的两侧端各设有一个采用阻燃绝缘材料制成的垫圈(6);所述绕组(2)采用厚度为0.02mm~0.2mm、宽度为20mm~25mm的薄铜带(21)围着铜环芯子(1)绕制而成,且在各匝铜带(21)的匝间垫有比铜带(21)宽度为3mm~6mm、厚度为0.1mm的绝缘薄膜(22)作为铜带(21)的匝间绝缘;或者所述绕组(2)采用直径2.0mm~3.0mm的铜漆包线绕制。
4、根据权利要求3所述的纵向磁场息弧装置,其基本特征在于:所述绕组(2)匝数为15匝~30匝,其回路电阻在15mΩ~40mΩ。
5、根据权利要求3所述的纵向磁场息弧装置,其基本特征在于:该息弧装置还包括一个用于防止所述垫圈(6)脱落的弹性挡圈(7),所述弹性挡圈(7)卡接固定在所述铜环芯子(1)上。
6、一种气体绝缘负荷开关,包括上汇流排(81)、固定设置在上汇流排(81)上的静刀头(82)、下汇流排(83)、转动设置在下汇流排(83)上的动刀杆(84);所述动刀杆(84)在转动的过程中,与所述静刀头(82)接触或分离,从而实现合闸和分闸动作;其特征在于:
还包括与动刀杆(84)数量相同的纵向磁场息弧装置;所述纵向磁场息弧装置包括铜环芯子(1)、绕组(2)、抱箍组件(3)、导弧片(4)和安装支架(5);所述抱箍组件(3)包括抱箍(31)和螺栓紧固件(32);所述绕组(2)围绕所述铜环芯子(1)外表面设置;所述抱箍(31)套设在所述绕组(2)的外表面上,所述螺栓紧固件(32)紧固连接所述抱箍(31)的两侧端;所述铜环芯子(1)与所述绕组(2)的起始端电连接,所述抱箍(31)与所述绕组(2)的末端电连接;所述导弧片(4)的一端焊接固定在所述铜环芯子(1)上,其另一端朝向接近所述静刀头(82)的方向伸展;所述安装支架(5)的一端焊接固定在所述抱箍(31)上,其另一端固定在所述上汇流排(81)上。
7、根据权利要求1所述的气体绝缘负荷开关,其基本特征在于:所述铜环芯子(1)位于所述动刀杆(84)处于分闸状态时的正上方;所述导弧片(4)与静刀头(82)及旋转的动刀杆(84)之间均保留有一个适当气体间隙。
8、根据权利要求1所述的气体绝缘负荷开关,其基本特征在于:所述安装支架(5)与所述导弧片(4)相对设置在所述绕组(2)的沿铜环芯子(1)中心轴向方向上的两侧端。
9、根据权利要求1所述的气体绝缘负荷开关,其基本特征在于:所述绕组(2)在沿铜环芯子(1)中心轴向方向上的两侧端各设有一个采用阻燃绝缘材料制成的垫圈(6);所述绕组(2)采用厚度为0.02mm~0.2mm、宽度为20mm~25mm的薄铜带(21)围着所述铜环芯子(1)绕制而成,且在各匝铜带(21)的匝间垫有比铜带(21)宽3mm~6mm,厚度为0.1mm的绝缘薄膜(22)作为铜带(21)的匝间绝缘;或者所述绕组(2)采用直径2.0mm~3.0mm的铜漆包线绕制。
10、根据权利要求9所述的气体绝缘负荷开关,其基本特征在于:该息弧装置还包括一个用于防止所述垫圈(6)脱落的弹性挡圈(7),所述弹性挡圈(7)卡接固定在所述铜环芯子(1)上;所述绕组(2)匝数为15匝~30匝,其回路电阻在15mΩ~40mΩ。
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