[实用新型]研磨垫以及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种用于半导体研磨工艺的研磨垫，特别是有关于一种利用感压胶进行固接的研磨垫。

背景技术

大部分的电子芯片是由层化不同材料而形成，例如半导体硅片(硅)即是层化材料的其中之一，当每一个新的材料层被加上时，常需要使研磨或辗磨的步骤去除多余的层材料，以使此硅片平坦化，或是达成其它的目的，而此种研磨的过程常被称为化学机械研磨平坦化(Chemical MechanicalPolishing，CMP)。由于芯片是由各种不同的薄型材料层所形成，因此必须经过多次的CMP研磨步骤，才能将材料层由硅片的表面均匀去除。

在典型的CMP研磨工艺中，研磨垫可被固定于一底层上，或是将复数个研磨垫层层接合以形成一复合研磨垫，又或者将研磨垫固接于研磨装置上时，都需由黏胶或黏着剂的辅助来达成研磨垫与研磨装置的固定。然而，在进行半导体组件的研磨作业时，研磨装置往往需要长时间的以旋转的方式来达成抛光的目的，因此研磨装置所产生的剪力会导致研磨垫产生剥离的现象，而导致研磨作业必须被迫中断，或致使半导体组件受到损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体研磨工艺的研磨垫，可由感压胶将研磨垫固定于一底层上。

本实用新型的另一目的在于提供一种用于半导体研磨工艺的研磨垫，可由感压胶将复数个研磨垫层层接合以形成一复合研磨垫。

本实用新型的又一目的在于提供一种用于半导体研磨工艺的研磨垫，可由感压胶将研磨垫固接于研磨装置上。

本实用新型的再一目的在于提供一种用于半导体研磨工艺的研磨垫，其利用感压胶进行研磨垫的固接，此感压胶具有横向黏性大于纵向黏性的特性，因此感压胶的横向黏性较大，研磨垫不会受到研磨装置所产生的剪力影响而产生剥离。

本实用新型还有一目的在于提供一种用于半导体研磨工艺的研磨垫，其利用感压胶进行研磨垫的固接，此感压胶具有横向黏性大于纵向黏性的特性，因此感压胶的纵向黏性较小，易于将研磨垫自研磨装置上取出。

为实现上述目的，本实用新型提供的用于半导体研磨工艺的研磨垫，其利用感压胶进行固接的研磨垫。此研磨垫包含一基材，此基材具有一研磨面以及一相对研磨面的底面，其中研磨垫的特征在于：于基材的底面上形成一感压胶用以与一底层固接，其中感压胶的横向黏性大于感压胶的纵向黏性，在研磨时基材的底面与底层紧密接合。

本实用新型另提供的用于半导体研磨工艺的研磨垫，其利用感压胶进行固接的研磨垫。此研磨垫是由至少一第一基材与至少一第二基材所组成，第一基材及第二基材各具有一研磨面与一相对研磨面的底面，其中研磨垫的特征在于：于第一基材的底面上形成一感压胶与第二基材的研磨面固接，其中感压胶的横向黏性大于感压胶的纵向黏性，研磨时第一基材的底面与第二基材的研磨面紧密接合。

本实用新型另提供一种研磨装置，其利用感压胶将研磨垫固接于研磨装置上。此研磨装置是用以研磨一半导体组件以及承载一研磨垫。研磨垫包含至少一基材，基材具有一研磨面与一相对研磨面的底面。研磨装置包含一第一平台、第二平台、一驱动装置与一施压装置，第一平台用以承载基材，并与基材的底面连接，第二平台用以承载半导体组件，驱动装置用以带动第一平台转动，施压装置使得第一平台上的研磨垫与第二平台上的半导体组件之间具有一特定压力，其中研磨垫的特征在于：基材的底面上形成一感压胶用以与第一平台固接，其中感压胶的横向黏性大于感压胶的纵向黏性，研磨时基材的底面与第一平台紧密接合。

本实用新型另提供一种研磨装置，其利用感压胶将研磨垫固接于研磨装置上。此研磨装置是用以研磨一半导体组件以及承载一研磨垫，研磨装置包含一第一平台、第二平台、一驱动装置与一施压装置。研磨垫由至少一第一基材与至少一第二基材所组成，第一基材与第二基材各具有一研磨面与一相对研磨面的底面，第一平台与第二基材的一的底面连接，第二平台承载半导体组件，驱动装置带动第一平台转动，施压装置使第一平台上的研磨垫与第二平台上的半导体组件之间具有一特定压力，其中研磨垫的特征在于：于第一基材的底面上形成一感压胶与第二基材的研磨面固接，于第二基材的底面上形成感压胶与第一平台固接，其中感压胶的横向黏性大于感压胶的纵向黏性，研磨时第一基材的底面与第二基材的研磨面紧密接合。