[实用新型]载台装置无效
申请号: | 200920168697.8 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN201490173U | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 罗文保 | 申请(专利权)人: | 友上科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
【技术领域】
本实用新型是关于一种载台装置,特别是关于一种应用白努利(Bernoulli)原理,可以喷出气体形成压差,而能对于光电半导体薄片形工件进行吸附的载台装置。
【背景技术】
在电子产业或光学产业中,对于光电半导体薄片形工件进行蚀刻作业,是将光电半导体薄片形工件置放于旋涂机的载台装置上进行旋转,并于上方喷洒蚀刻液,而可借由旋转离心力,使蚀刻液能以离心力向外流动而均布于光电半导体薄片形工件表面进行蚀刻作业。
上述旋涂机的载台装置中设置吸气定位件,该吸气定位件外接吸气装置,而可于操作使用上,借由吸气装置所提供的吸力吸附定位待蚀刻的光电半导体薄片形工件,使该光电半导体薄片形工件能稳定旋转,而让蚀刻液能向外流动进行涂布,其利用吸气装置作用,使吸气定位件能吸附光电半导体薄片形工件,然而,当光电半导体薄片形工件制造而产生裂痕时,会造成光电半导体薄片形工件上的蚀刻液渗入而被吸进吸气装置中,导致吸气装置管路腐蚀受损。
另外,旋涂机的操作使用,必需将待蚀刻的光电半导体薄片形工件对正中心的置放于旋涂机的载台装置上,才能使旋涂机的心轴能稳定旋转,如果待蚀刻的光电半导体薄片形工件置放,没有完成精确对位,即易造成心轴于旋转时产生晃动,而容易造成心轴损坏,因此,现有技术的载台装置,仍未尽理想而确有加以改良的必要。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种载台装置,其是以喷气方式形成压差,而能吸附定位光电半导体薄片形工件,以避免对于光电半导体薄片形工件进行蚀刻的蚀刻液被吸入载台装置中,造成内部管路腐蚀受损。
为达成上述目的的结构特征及技术内容,本实用新型载台装置包括:
一载座,该载座包含一作用面位于顶部,该载座于作用面处形成一锥形状的容置槽,该容置槽包含位于作用面处形成扩大开口,以及相对于该扩大开口端形成缩小部,于该缩小部处设置一喷气道与外界连通;
数个支持块,其分布设置于上述容置槽面;
一喷头,其包含一平面及位于该平面周围的锥面,该喷头设置于上述容置槽中,是以锥面定位于上述数个支持块顶端,使平面位于上述载座作用面下侧而形成一高度差,而在该锥面与容置槽面之间形成气流通道;
数个抵压块,该数个抵压块形成水滴形柱杆状,该数个抵压块一端设置于上述载座的作用面周缘,且该数个水滴形柱杆状的抵压块周围一侧形成宽弧面,该宽弧面是面向于上述载座的作用面中间处。
借此设计,可将气体由载座的喷头处由气流通道朝周围倾斜向外喷出,使光电半导体薄片形工件能与载座作用面之间形成负压,而与周围空气压形成压差,使光电半导体薄片形工件能向下引动,且令光电半导体薄片形工件周缘能抵压于该载座作用面所设置的数个抵压块顶面,而能稳定的吸附住光电半导体薄片形工件。
且由于该数个抵压块形成水滴形柱杆状,使喷出的气流流经该数个抵压块时能流畅的通过,以避免压差遭到破坏,故能稳定吸附定位光电半导体薄片形工件。
以及喷出的气流,能使成型蚀刻光电半导体薄片形工件的蚀刻液不会吸入载台装置中,而能避免载台装置内部遭到蚀刻液侵蚀破坏。
【附图说明】
图1:本实用新型外观示意图。
图2:本实用新型仰视图。
图3:本实用新型剖视图。
图4:本实用新型吸附光电半导体薄片形工件的实施例示意图。
图5:本实用新型又一形式外观示意图。
图6:本实用新型另一形式外观示意图。
图7:本实用新型另一形式吸附光电半导体薄片形工件的实施例示意图。
(10)载座 (11)作用面
(12)容置槽 (121)扩大开口
(122)缩小部 (13)喷气道
(14)气流通道 (15)抵压块
(151)宽弧面 (16)侧边喷气通道
(161)喷出口 (20)喷头
(21)平面 (22)锥面
(23)支持块 (30)光电半导体薄片形工件
【具体实施方式】
本实用新型设计,是在载座作用面上设置一喷头,该喷头可倾斜朝向周围喷气,使光电半导体薄片形工件与载座作用面之间形成压差状态,借此,能使光电半导体薄片形工件稳定的吸附定位在载座上,以方便光电半导体薄片形工件进行后续加工处理作业。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造