[实用新型]晶圆快速热处理设备的腔体结构有效
申请号: | 200920177908.4 | 申请日: | 2009-09-15 |
公开(公告)号: | CN201540878U | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 林武郎;洪水斌;吕学礼;郑煌玉;周明源;李颖松;郭明伦;石玉光 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 热处理 设备 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种腔体结构,尤其涉及一种以双开口的腔体设计便于维护人员的清洁、调校等作业而可应用于太阳能、光电、半导体等晶圆的热处理加工过程。
背景技术
RTP以单芯片的生产模式具快速升、降温的特性,因此过程时间短,极利于自动化的晶圆生产模式,另RTP也以精准的温度控制、均匀的晶圆温度来确保过程的质量,然在此两优越的表现下,腔体相对的伴随一些必要的维护工作譬如:
1.晶圆位置的调整确认:因应机械手臂传送的需要,各站的位置均需准确的调整确认。
2.温度均匀性测量调整:一般RTP腔体的加热源为卤素灯管,其密布于晶圆周边,晶圆温度的均匀性取决于各区卤素灯管的光辐射能量,因此必须先行知晓晶圆的温度分布状态,才能藉以调整各区卤素灯管的照度,反复的测量调整而能收敛至良好的温度分布,其中晶圆的温度测量可以进行多点式的TC-Wafer(在晶圆上连结多点的热偶计)的,所述TC-Wafer的作业必须以人工小心取放才不至于危及诸多的测量点线。
3.温度校准与测量:腔体的温度侦测回馈一般以热偶计或红外线高温计进行的,即使为后者依然有使用热偶计调校的必要,即腔体必需准备热偶计的安装,而热偶计与晶圆的接触状态又必须小心调整方能确保测量的质量。
4.清洁保养:RTP腔体内一般结构材料为石英制品,设备经久使用难免有污染的可能,而影响卤素灯管的辐射状态进而造成生产质量的瑕疵,因此腔体有定期清洁维护的必要。
5.试过程:产品正式生产前必经小量的过程测试,小量的样品试作,无需自动生产模式的一些严谨条件要求,却需要反复的过程调整。
以上许多的维护工作在现有的RTP单面开口式设备(如专利第I267162号发明)上极为不便,尤以自动热处理设备内机械手臂的存在,更加大了维护人员与腔体间的距离,对温度测量、校准、清洁、维护调整等工作极为不便,使作业更为困难。现有的RTP腔体单面开口式设计,开口面配备开关门的机构虽可确保装载/卸载及过程中的密封度,满足机台的正常操作,然而却不利于上述对腔体的维护作业。
实用新型内容
本实用新型所提供的晶圆快速热处理设备的腔体结构,其主要目的在于:提供一种改良的腔体结构,俾使习知温度测量、校准、清洁、维护调整等工作能更方便而顺利的进行。
为达上述目的,本案具体的技术手段为:
一具有一第一开口及第二开口的腔体;
一设于该腔体的第一开口的第一启闭单元,该第一启闭单元具有一两端各设有一导杆的门座;一两侧各穿设有一穿孔的一第一门板,该第一门板藉该穿孔套设于该导杆上,该第一门板相对于该门座的另一侧与一启闭汽缸连接,该启闭汽缸可推顶该第一门板沿所述导杆至该门座,并使该第一门板封闭上述腔体的第一开口;该第一门板相对于上述第一开口的另一面设有一密封汽缸,该密封汽缸可对该第一门板向第一开口方向推挤,使该第一门板与上述腔体的第一开口更迫紧。
一设于上述腔体的第二开口处的第二启闭单元,该第二启闭单元具有一第二门板,该第二门板朝该第二开口的一侧设有一晶圆承载盘,该晶圆承载盘用以承载晶圆的用;该第二门板外另设有一热偶计,该热偶计用以侦测温度;该第二门板连接至少一伸缩杆,该伸缩杆与该第二门板连接的另一端插组于上述腔体的插孔,该第二门板可藉该伸缩杆于该插孔中伸缩而往复移动;该第二门板上穿设至少一第一螺孔,相对于该第一螺孔,于上述腔体的第二开口周边设有与该第一螺孔相对应的至少一第二螺孔,该第二门板可藉螺丝穿经该第一螺孔与该第二螺孔而固定。
一进晶圆站,设于上述腔体的第一启闭单元的一侧,该进晶圆站可托载待热处理加工的晶圆。
一晶圆定位站,设于上述腔体的一侧,该晶圆定位站可对待热处理加工的晶圆进行调整定位。
一晶圆冷却站,设于上述晶圆定位站的另一侧,该晶圆冷却站可对热处理加工后的晶圆进行冷却。
一出晶圆站,设于上述进晶圆站的另一侧,该出晶圆站可托载热处理加工后的晶圆至上述腔体的第一启闭单元。
一机械臂,设于上述腔体、进晶圆站、晶圆定位站及晶圆冷却站所围绕的居中处,该机械臂可将晶圆输送至上述腔体、进晶圆站、晶圆定位站及晶圆冷却站。
藉由上述技术手段,现有技术所述的维护、量测、调整及清洁等困扰,皆因腔体改良为双开式而得以解决。
附图说明
图1为本实用新型实施例中晶圆快速热处理设备的腔体结构的俯视结构图。
图2为本实用新型实施例中晶圆快速热处理设备的腔体结构的立体外观图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造