[实用新型]具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片

权利要求书

1.具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片，包括第一芯片、第二芯片，所述的第一芯片位于第二芯片之上，所述的第一芯片和第二芯片之间设有通过导体与两芯片连接的漏极金属，所述的第二芯片通过导电胶与一作为第二源极的、底部规则的引线框架连接，所述的第一芯片的上表面焊接有第一源极；

其特征在于：所述的引线框架的侧边设有向外引出的第二源极管脚，所述的第二源极管脚与一漏极管脚通过环氧模塑料塑封形成一个整体，所述的整体向上弯折、并与所述的引线框架垂直；所述的漏极管脚的中部设有一外露与所述的环氧模塑料的暴露面，所述的暴露面通过导电胶与所述的漏极金属连接。

2.如权利要求1所述的具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片，其特征在于：所述的引线框架的侧边向外引出两个第二源极管脚，两个第二源极管脚之间设置所述的漏极管脚，三个管脚通过环氧模塑料塑封为所述的整体。

3.如权利要求1所述的具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片，其特征在于：所述的引线框架上设有绝缘线，所述的绝缘线将所述的引线框架分隔为门极和所述的第二源极，所述的门极向外引出门极管脚，所述的第二源极向外引出所述的第二源极管脚，所述的门极管脚和第二源极管脚之间设置漏极管脚，三个管脚通过环氧模塑料塑封为所述的整体。

4.如权利要求1所述的具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片，其特征在于：所述的第一芯片的上表面焊接有第一门极，所述的第一芯片和第二芯片之间设有门极金属，所述的漏极金属与门极金属之间有间隙；所述的第一芯片通过多个导电柱与所述的漏极金属连接、通过一个绝缘立柱与所述的门极金属连接，所述的第二芯片通过多个导电柱与所述的漏极金属连接、通过一个导电柱与所述的门极金属连接；所述的引线框架的四个侧边均向外引出两个第二源极管脚，其中一个侧边引出的两个第二源极管脚之间设置门极管脚，三个管脚通过环氧模塑料塑封为弯折向上的第一整体，所述的门极管脚中部设有外露于环氧模塑料的外露面，所述的外露面通过导电胶与门极管脚连接；其余三个侧面引出的两个第二源极管脚之间放置所述的漏极管脚。

5.如权利要求4所述的具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片，其特征在于：所述的外露面的宽度大于所述的门极管脚的宽度。

6.如权利要求1-5之一所述的具有叠层封装预成型垂直结构的功率芯片，其特征在于：所述的暴露面的宽度大于所述的漏极管脚的宽度。