[实用新型]225MHz-512MHz100W超高功率共址滤波器无效
| 申请号： | 200920204396.6 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN201490989U | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朱辉 | 申请（专利权）人： | 朱辉 |
| 主分类号： | H03H17/02 | 分类号： | H03H17/02 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠;李新林 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 225 mhz 512 mhz100w 超高 功率 滤波器 | ||
1.225MHz-512MHz100W超高功率共址滤波器，其特征在于：所述的225MHz-512MHz100W超高功率共址滤波器由两个谐振体模块、两个阻抗匹配器、一个PIN开关二极管电容混合阵列电路、一组扼流圈、一个高压驱动电路、一个数字控制电路组成；所述两个谐振体模块之间通过耦合器连接，与PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接组成谐振电路；两个阻抗匹配器作为两个经耦合器连接的谐振体模块的输入、输出分别与一个谐振体模块输入端和和另一个谐振体模块输出端电连接，数字控制电路与高压驱动电路电连接，高压驱动电路与扼流圈电连接，扼流圈与PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接。
2.根据权利要求1所述的225MHz-512MHz100W超高功率共址滤波器，其特征在于：所述的PIN开关二极管电容混合阵列电路与高压驱动电路之间设有扼流圈和去耦旁路耐高压电容；扼流圈采用φ0.2的漆包线在φ3的聚四氟乙烯空芯管上绕制25圈至30圈径而成。
3.根据权利要求1所述的225MHz-512MHz100W超高功率共址滤波器，其特征在于：所述的两个谐振体模块和PIN开关二极管电容混合阵列电路电连接组合成滤波器主结构，主结构为二腔体结构，各腔体有一外导体和一内导体，中间加一调试隔板。
4.根据权利要求1所述的225MHz-512MHz 100W超高功率共址滤波器，其特征在于：所述的PIN开关二极管电容混合阵列电路中的晶体管采用耐压高、内阻小的开关二极管和耐高压及工作速度快的CMOS三极管；二极管紧贴外壳焊接，PIN开关二极管型号为MA4P7470F-1072T、MA4P4006两种；PIN管三极管型号为STD2NK100Z。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱辉，未经朱辉许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920204396.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
