[实用新型]一种单晶炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单晶炉，具体涉及一种带有气体分流罩的单晶炉。

背景技术

单晶炉是单晶体的生长设备，目前较常用的则是提拉法单晶炉。在硅单晶体被提拉生长的过程中需要想单晶炉内不断充入氩气，一方面，因硅单晶体是在真空状态下被提拉生产的；另一方面，在试晶时，需从炉内取出初晶体来测试其质量是否达到要求，若满足要求即可继续提拉加工，若不符合则要进行调整原材料或设备参数等，调整好后再进行试晶，直至达到要求。该试晶过程使得外界空气进入炉室，破坏了其原有生产过程中的真空状态，所以要向炉内不断充入氩气；最后，因硅单晶体在炉内生长过程中会不断生成一些氧化物及杂质粉尘，由于单晶炉内的加热体与坩埚支持部件等均由石墨制成，氧化物容易腐蚀这些由石墨制成的部件，而杂质粉尘容易吸附在这些部件上，或者堵塞炉内部件，影响单晶炉的使用寿命，也影响硅单晶体的质量，因此，需向单晶炉内不断充入氩气，当然同时需要用真空泵将混合气体排出炉外。

现有单晶炉氩气充气装置直接由炉体上的进氩气口，经一法兰进入炉室，该结构不利于氩气充满炉室，因而可能导致炉室内有一部分空气或氧化物、杂质粉尘未与氩气充分混合而残留在炉室内，进而影响硅单晶体的质量及影响单晶炉的使用寿命。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种单晶炉，该单晶炉具有气体分流罩，使得通入炉室的氩气分布均匀，有利于混合气体的排出，保证了炉内的真空度，提高了硅单晶体的质量。

本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案为：

一种单晶炉，包括上旋转系统、下传动系统，所述上旋转系统与下传动系统之间通过大法兰连接，大法兰上有与气体设备相通的孔，所述上旋转系统包括分流罩，所述分流罩通过小法兰与大法兰端面连接，所述分流罩位于下传动系统的炉室内，所述分流罩呈筒状结构，且在其下端面边缘为斜面，在斜面上有通孔，该通孔与炉室及大法兰上的孔相通。

为了便于加工及使得氩气流通均匀、顺畅，且不漏气，所述分流罩包括外罩体、内筒体，所述外罩体为下端为斜面的筒状结构，所述内筒体为筒状结构，其位于外罩体内；所述外罩体通过其斜面端部与内筒体端部密封固接，所述外罩体上端嵌入小法兰端面并与小法兰密封连接；所述内筒体上端部穿过小法兰中心通孔并与小法兰中心通孔壁密封固定；所述外罩体斜面上均布有n个通孔，该通孔与炉室相通，所述小法兰上均布有n个与外罩体斜面通孔相对的法兰通孔。

从加工方便和使得氩气流通顺畅考虑，在大法兰下端面一侧有一个两端为圆弧的长阶梯槽，该槽槽底一端与大法兰上端面的阶梯孔相通，所述小法兰上的一个法兰通孔与长阶梯槽相对。

所述小法兰通过连接件与大法兰连接，为防止漏气，在所述长阶梯槽的大槽内的一侧嵌有一密封垫，该密封垫与小法兰上端面接触。

为了既使得加工方便，又不会影响密封性能，所述外罩体斜面端部与内筒体端部焊接固定，所述外罩体上端与小法兰焊接密封，所述内筒体上端部与小法兰中心通孔壁焊接密封。

为使得氩气进入炉室畅通，又不增加工艺成本，所述外罩体斜面上通孔的个数n为6～8；所述外罩体斜面上通孔的个数n优选8。

所述的连接件为螺钉。

本实用新型的一种单晶炉，其具有气体分流罩，该装置结构简单，成本低，使得通入炉室的氩气分布均匀，有利于混合气体的排出，保证了炉内的真空度，提高了硅单晶体的质量，有效延长单晶炉的寿命。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为分流罩与小法兰连接的截面放大视图。

图3为分流罩与小法兰连接的俯视放大图。

图4为分流罩与小法兰连接的仰视放大图。

图5为大法兰的截面放大视图。

图6为大法兰的仰视放大图。

图中：1-上旋转系统，2-下传动系统，3-大法兰，3-1-长阶梯槽，3-2-阶梯孔，4-分流罩，4-1-外罩体，4-2-内筒体，4-3-通孔，5-小法兰，5-1-中心通孔，5-2-法兰通孔，6-炉室，7-接头，8-螺钉，9-密封垫，10-活塞。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型做进一步说明。

如图1、图2所示，一种单晶炉，包括上旋转系统1、下传动系统2，上旋转系统1与下传动系统2之间通过大法兰3连接。上旋转系统1包括分流罩4，分流罩4通过小法兰5与大法兰3端面连接，分流罩4位于下传动系统2的炉室6内。