[实用新型]扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件无效

专利信息
申请号: 200920232964.3 申请日: 2009-07-27
公开(公告)号: CN201478305U 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 沈富德 申请(专利权)人: 沈富德
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/495;H01L23/48;H01L23/31
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213024 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 扁平 封装 绝缘 栅双极型 晶体管 器件
【权利要求书】:

1.一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件,具有引线框架(1),其特征是:引线框架(1)上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片(2),引线框架(1)的外围塑封绝缘树脂(3)形成扁平结构,下端引出有功能引脚(4),功能引脚(4)包括引脚一号(4-1)、引脚二号(4-2)、引脚三号(4-3)、引脚四号(4-4)和引脚五号(4-5),引脚二号(4-2)和引脚四号(4-4)分别作为两个绝缘栅双极功率管芯片(2)的控制门极,引脚一号(4-1)是作为绝缘栅双极功率管芯片(2)的发射极与另一个绝缘栅双极功率管芯片(2)的集电极的公共电极,引脚三号(4-3)为与公共电极集电极对应的发射极,引脚五号(4-5)为与公共电极发射极对应的集电极。

2.根据权利要求1所述的扁平式封装双绝缘双极功率管元器件,其特征是:所述的扁平结构中间设置有安装孔(5)。

3.根据权利要求1所述的扁平式封装双绝缘双极功率管元器件,其特征是:所述的扁平结构的长度为35±3mm、宽度为23±3mm、高度为3±1mm。

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