[实用新型]扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件无效
申请号: | 200920232964.3 | 申请日: | 2009-07-27 |
公开(公告)号: | CN201478305U | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 沈富德 | 申请(专利权)人: | 沈富德 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/48;H01L23/31 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213024 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扁平 封装 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及封装元器件技术领域,尤其是一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件。
背景技术
目前,常见的双IGBT绝缘栅双极型晶体管器件都采用标准模块封装,底部带有铜底板,外加塑料壳包封,体积很大,生产工艺比较复杂,对于中小功率的双IGBT器件就显得很不适用,同时造成了成本的增加和占用空间大等问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了解决上述存在的缺点与不足,提供一种扁平事封装双绝缘栅双极功率管元器件。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件,具有引线框架,引线框架上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片,引线框架的外围塑封绝缘树脂形成扁平结构,下端引出有功能引脚,功能引脚包括引脚一号、引脚二号、引脚三号、引脚四号和引脚五号,引脚二号和引脚四号分别作为两个绝缘栅双极功率管芯片的控制门极,引脚一号是作为绝缘栅双极功率管芯片的发射极与另一个绝缘栅双极功率管芯片的集电极的公共电极,引脚三号为与公共电极集电极对应的发射极,引脚五号为与公共电极发射极对应的集电极,当在控制门极端加上正电压信号,集电极与发射极可即时道统,当控制门极端加上适当负电压信号,集电极与发射极又可完全及时关断,开关的频率高。
进一步,为了方便与散热装置紧固安装,扁平结构中间设置有安装孔,散热的功能好。
为了使得整体结构的体积小,扁平结构的长度为35±3mm、宽度为23±3mm、高度为3±1mm。
本实用新型的有益效果是,本实用新型的扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件,结构扁平,体积小,热阻低,适合线路板安装使用,使用时性能稳定,可靠抗干扰,生产工艺简单,适合批量生产,应用广泛,生产成本低,且占用的安装空间小。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构简图;
图2是本实用新型的局部剖视图;
图3是本实用新型的结构示意图;
图4是本实用新型的电路连接简图。
图中1.引线框架,2.绝缘山双击功率管芯片,3.绝缘树脂,4.功能引脚,5.安装孔。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1、图2、图3、图4所示的最佳实施方式的扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件,具有引线框架1,引线框架1上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片2,引线框架1的外围塑封绝缘树脂3形成扁平结构,下端引出有功能引脚4,功能引脚4包括引脚一号4-1、引脚二号4-2、引脚三号4-3、引脚四号4-4和引脚五号4-5,引脚二号4-2和引脚四号4-4分别作为两个绝缘栅双极功率管芯片2的控制门极,引脚一号4-1是作为绝缘栅双极功率管芯片2的发射极与另一个绝缘栅双极功率管芯片2的集电极的公共电极,引脚三号4-3为与公共电极集电极对应的发射极,引脚五号4-5为与公共电极发射极对应的集电极,当在控制门极端加上正电压信号,集电极与发射极可即时导通,当控制门极端加上适当负电压信号,集电极与发射极又可完全及时关断,开关的频率高,扁平结构中间设置有安装孔5,扁平结构的长度为35±3mm、宽度为23±3mm、高度为3±1mm,使得整体结构体积小。
本实用新型使用时通过中间的安装孔5将其紧固于散热装置,各功能引脚4连接相应线路端,通过在控制门极端加上电压信号,控制集电极与发射极的导通榆关断,开关的频率高,适合高频场合使用。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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