[实用新型]发光二极管结构有效
| 申请号： | 200920249953.6 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201556617U | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈东安;吴东璟;张智超;陈松升;李军明 | 申请（专利权）人： | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/13;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
一承座，具有一基底和一形成于该基底上的反射杯，该基底的内底面设有一第一凹部和一第二凹部；
一第一导电架，设置于该第一凹部内；
一第二导电架，设置于该第二凹部内；
一导电胶，设置于该第二凹部内的内底面上，且该导电胶电性接触于该第二导电架；
一发光芯片，设置于该第一导电架上，该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起；以及
一齐纳二极管，设置于该导电胶上，该齐纳二极管的一电极与导电胶彼此电性相通，而该齐纳二极管的另一电极则由一导线来电性连接于该第一导电架。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的反射杯内封装有一荧光层。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的第一、二凹部之间形成有一分隔体。
4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电胶设置于该分隔体与第二导电架之间的第二凹部的内底面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光芯片为蓝光芯片。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电胶为银胶。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该承座为聚对苯二酰对苯二胺、聚酰胺和液晶树脂其中之一。
8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光芯片的两电极分别以一第一导线和一第二导线来电性连接于该第一、二导电架。
9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的第二凹部内设有一第三凹部，该第三凹部所凹入于内底面的深度大于该第二凹部的凹入深度；该第二导电架具有一凸体，该第二导电架的凸体凸出于该第三凹部内；该导电胶则设置于该第三凹部内的内底面上，且该导电胶还电性接触于该第二导电架的凸体。
10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，该第三凹部内填满有白胶，该白胶包覆住该导电胶和齐纳二极管。
11.如权利要求10所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的第一、三凹部之间形成有一分隔体，该白胶填入于该分隔体与该第二导电架之间的第三凹部内。
12.如权利要求10所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的反射杯内填满有荧光胶。
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