[实用新型]发光二极管结构有效

专利信息
申请号: 200920249953.6 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN201556617U 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 陈东安;吴东璟;张智超;陈松升;李军明 申请(专利权)人: 东贝光电科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/13;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周长兴
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型是关于一种发光二极管结构,特别是指一种增设有齐纳二极管以达到静电放电防护功能的发光二极管结构。

背景技术

由于发光二极管(LED:Light Emitting Diode)具有体积小、耗电低以及寿命长...等优点,因此目前已广泛应用于家电、车辆、计算机外设产品、通讯产品以及照明产品...等上,发光二极管已然成为新世代的光源,其重要性不言可喻。

然而,发光二极管却很容易在制造或使用过程中受到静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)的影响而损坏。

为了解决上述的静电放电问题,公知已有利用齐纳二极管(Zener diode)电性连接于发光二极管上的解决方案,概述如下。

请参阅图1所示,为公知的发光二极管1,具有一承座11,该承座11则由基板(包含第一、二基板电极111、112)以及形成于该基板上的反射杯113所组成,第一基板电极111、第二基板电极112以及反射杯113之间则由铝阳极化膜13来彼此分隔。两个后电极12a、12b分别形成于该承座11的底侧,且分别电性连接至第一和第二基板电极111、112。发光芯片14和齐纳二极管15则分别设置在第一基板电极111和第二基板电极112上,以保护发光芯片14免于受到静电放电影响。至于透镜16配置于反射杯113上,以聚集发光芯片14所发出的光。惟,此等方案却因为增设了齐纳二极管15,反而造成发光芯片14所发出的光会被齐纳二极管15给吸收掉约20%的重大缺失。

因此,如何设计出一种能既能利用齐纳二极管来保护发光芯片免于受到静电放电影响,又能将光被齐纳二极管吸收掉的比例给降至最低(相对而言就提高了发光芯片的亮度),为本申请人所企欲解决的一大课题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极管结构,以改进公知技术中存在的缺陷。

为实现上述目的,本实用新型提供的发光二极管结构,包括:一承座、一第一导电架、一第二导电架、发光芯片、一导电胶以及一齐纳二极管。

该承座,具有一基底和一形成于该基底上的反射杯,该基底的内底面设有一第一凹部和一第二凹部;该第一导电架,设置于该第一凹部内;该第二导电架,设置于该第二凹部内;该导电胶,设置于该第二凹部内的内底面上,且该导电胶是电性接触于该第二导电架;该发光芯片,设置于该第一导电架上,该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起;该齐纳二极管,设置于该导电胶上,该齐纳二极管的一电极与导电胶彼此电性相通,而该齐纳二极管的另一电极则由一导线来电性连接于该第一导电架。

由本实用新型将齐纳二极管给埋入于承座内,以大幅降低齐纳二极管吸收发光芯片的光的比例,相对而言乃提升发光芯片的亮度,从而既能使用齐纳二极管来达到静电放电防护功能,又能大幅降低齐纳二极管吸收发光芯片的光的比例。

附图说明

图1为公知发光二极管的剖面图。

图2为本实用新型发光二极管第一实施例的剖面图。

图3为本实用新型发光二极管第二实施例的剖面图。

图4为本实用新型发光二极管第三实施例的剖面图。

附图中主要组件符号说明

1发光二极管;11承座;111第一基板电极;112第二基板电极;113反射杯;12a后电极;12b后电极;13铝阳极化膜;14发光芯片;15齐纳二极管;16透镜;200发光二极管;2承座;21基底;210内底面;211第一凹部;212第二凹部;213分隔体;214第三凹部;22反射杯;23荧光层;24荧光胶;3第一导电架;4第二导电架;41凸体;5发光芯片;51第一导线;52第二导线;6导电胶;7齐纳二极管;70导线;8白胶。

具体实施方式

为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,惟附图是仅提供参考与说明用,非用以限制本实用新型。

本实用新型提供的发光二极管结构,特别是指一种增设有齐纳二极管以达到静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)防护功能的发光二极管结构。

请参阅图2所示,是本实用新型第一实施例的剖面图,该发光二极管200包括一承座2、一第一导电架3、一第二导电架4、发光芯片5、一导电胶6以及一齐纳二极管7。

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