[实用新型]存储器写保护电路无效
| 申请号： | 200920262148.7 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN201607723U | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王捷;乔晓芳 | 申请（专利权）人： | 康佳集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/16 | 分类号： | G06F12/16 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 高占元 |
| 地址： | 518053 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 写保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器写保护电路，其特征在于，包括系统复位电路、系统MCU以及写保护控制电路，存储器的读写控制端口通过写保护控制电路分别与系统复位电路和系统MCU的IO控制口相连接，系统复位电路用于在系统上电瞬间输出脉冲信号，系统MCU用于输出控制信号。
2.根据权利要求1所述的存储器写保护电路，其特征在于，所述写保护控制电路为与门电路，与门电路的两个输入端分别与系统MCU的IO控制口和系统复位电路相连接。
3.根据权利要求2所述的存储器写保护电路，其特征在于，所述系统复位电路用于在系统上电瞬间输出低电平脉冲信号。
4.根据权利要求3所述的存储器写保护电路，其特征在于，所述存储器为低电平写保护存储器。
5.根据权利要求2所述的存储器写保护电路，其特征在于，所述与门电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管和第二三极管，所述系统MCU的IO控制口通过第一电阻与第一三极管的基极相连接，第一三极管的集电极通过第二电阻与第二三极管的基极相连接、第一三极管的发射极接地，第二三极管的发射极与系统复位电路相连接、第二三极管的集电极通过第三电阻接地、第二三极管的集电极与存储器相连接。
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