[实用新型]具有IGBT保护电路的电磁炉控制器及电磁炉

权利要求书

1.一种具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，包括IGBT，和连接于所述IGBT输入端的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括IGBT保护电路，连接于所述IGBT驱动电路的输入端，所述IGBT保护电路在电磁炉上电时，控制IGBT驱动电路向IGBT栅极所输入的电压为低电平。

2.如权利要求1所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，其特征在于，还包括同步振荡信号输出电路，连接于所述IGBT保护电路的输出端和IGBT驱动电路的输入端。

3.如权利要求2所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，其特征在于，还包括MCU连接于所述同步振荡信号输出电路和IGBT保护电路的输出端，以及连接于IGBT驱动电路的输入端。

4.如权利要求1所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，其特征在于，所述IGBT保护电路包括分压电阻R2，以及与所述分压电阻R2串联的分压电阻R3。

5.如权利要求4所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，其特征在于，所述IGBT保护电路还包括与所述分压电阻R2并联的二极管D1，以及与所述分压电阻R3并联的电容C1。

6.如权利要求5所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，其特征在于，所述IGBT保护电路还包括上拉电阻R1、三极管VT2和稳压二极管Z1，稳压二极管Z1的一端连接于所述分压电阻R2和R3之间，另一端连接于三极管VT2的基极；所述三极管VT2的发射极接地，集电极连接于上拉电阻R1。

7.如权利要求6所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGBT保护电路的电磁炉控制器，其特征在于，所述IGBT保护电路还包括三极管VT2，所述三极管VT1的基极连接于所述三极管VT2的集电极，发射极接地，集电极连接于所述IGBT驱动电路的输入端。

8.一种电磁炉，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的具有绝缘栅双极型晶体管IGPT保护电路的电磁炉控制器。