[实用新型]具有IGBT保护电路的电磁炉控制器及电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及电磁炉，尤其涉及具有绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor，IGBT)保护电路的电磁炉控制器及使用该电磁炉控制器的电磁炉。

背景技术

电磁炉在刚上电时，由于绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)特殊的工作性质，如果在IGBT的驱动极栅极产生一定宽度和幅度的脉冲信号足以使IGBT导通，此时IGBT可能处于放大状态或饱和状态。由于IGBT处于放大状态时集电极的电压很高，在IGBT流过一定电流时功耗非常大，而IGBT处于放大状态比饱和状态更容易损坏IGBT。因此，当IGBT导通不受控制，就有可能在刚上电时造成IGBT瞬间流过较长时间过电流，使IGBT损坏。现有技术对电磁炉的IGBT上电保护有一定保护措施，但由于电路设计不够合理，保护效果并不理想，常有出现电磁炉在刚上电时就损坏IGBT的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有IGBT保护电路的电磁炉控制器及电磁炉，以解决现有电磁炉在刚上电时损坏IGBT的问题。

本实用新型提供一种具有IGBT保护电路的电磁炉控制器包括IGBT，和连接于IGBT输入端的IGBT驱动电路和IGBT保护电路。IGBT保护电路连接于IGBT驱动电路的输入端，IGBT保护电路在电磁炉上电时，控制IGBT驱动电路向IGBT栅极所输入的电压为低电平。

优选的，上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括同步振荡信号输出电路，连接于IGBT保护电路的输出端和IGBT驱动电路的输入端。

优选的，上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括MCU连接于同步振荡信号输出电路和IGBT保护电路的输出端，以及连接于IGBT驱动电路的输入端。

优选的，上述IGBT保护电路包括分压电阻R2，以及与分压电阻R2串联的分压电阻R3。

优选的，上述IGBT保护电路还包括与分压电阻R2并联的二极管D1，以及与分压电阻R3并联的电容C1。

优选的，上述IGBT保护电路还包括上拉电阻R1、三极管VT2和稳压二极管Z1，稳压二极管Z1的一端连接于分压电阻R2和R3之间，另一端连接于三极管VT2的基极；三极管VT2的发射极接地，集电极连接于上拉电阻R1。

优选的，上述IGBT保护电路还包括三极管VT2，三极管VT1的基极连接于三极管VT2的集电极，发射极接地，集电极连接于IGBT驱动电路的输入端。

本实用新型还提供一种电磁炉，包括上述具有IGBT保护电路的电磁炉控制器。

本实用新型的具有IGBT保护电路的电磁炉控制器在电磁炉刚上电，VCC还未达到+18V时，控制IGBT的栅极驱动电压为低电平，从而保证IGBT在刚上电和快速插拔电时不会损坏。

附图说明

图1为本实用新型具有IGBT保护电路的电磁炉控制器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

图1为本实用新型具有IGBT保护电路的电磁炉控制器的结构示意图。

本实用新型具有IGBT保护电路的电磁炉控制器包括绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)104，和连接于IGBT104输入端的IGBT驱动电路103和IGBT保护电路101。IGBT保护电路101连接于IGBT驱动电路103的输入端，IGBT保护电路101在电磁炉上电时，控制IGBT驱动电路103向IGBT104栅极所输入的电压为低电平。

进一步的，本实用新型具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括同步振荡信号输出电路102，连接于IGBT保护电路101的输出端和IGBT驱动电路103的输入端。

进一步的，本实用新型具有IGBT保护电路的电磁炉控制器还包括中央控制器(MCU)105，连接于同步振荡信号输出电路102和IGBT保护电路101的输出端，以及连接于IGBT驱动电路103的输入端。