[实用新型]溅镀机构以及包含其的溅镀装置无效

专利信息
申请号: 200920268882.4 申请日: 2009-11-05
公开(公告)号: CN201530861U 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 林伟德;杨宏河;孙湘平;张元铭;廖泯谚 申请(专利权)人: 富临科技工程股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周长兴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 机构 以及 包含 装置
【权利要求书】:

1.一种溅镀机构,其特征在于,包括:

多数个电极靶材单元,配置于同一平面,该每一电极靶材单元的同一侧配置有至少一第一磁场单元;以及

多数个平移装置;

其中,该每一第一磁场单元独立配置有该平移装置,且该第一磁场单元包括有至少一磁石以及一第一磁石支撑座,该至少一磁石以及该第一磁石支撑座互相连接。

2.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,该电极靶材单元包括一电极板以及至少一靶材,且该靶材相对于该第一磁场单元而配置于该电极板的另一侧。

3.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,该电极靶材单元为一导电靶材。

4.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,包括至少一第二磁场单元,该第二磁场单元包括有至少一磁石以及一第二磁石支撑座,该第二磁场单元的磁石以及第二磁石支撑座互相连接,且该第一磁场单元的第一磁石支撑座具有至少一贯穿孔洞,该第二磁场单元的磁石贯穿该第一磁石支撑座的孔洞,且由该孔洞突出的该第二磁场单元的磁石与该第一磁场单元的磁石互相交错配置。

5.如权利要求4所述的溅镀机构,其特征在于,包括一升降装置,该升降装置配置于该第二磁场单元。

6.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,该每一第一磁场单元独立配置有该平移装置以及一升降装置。

7.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,该每一第一磁场单元独立配置有该平移装置以及一摆动装置。

8.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,该第一磁场单元包括有三个磁石。

9.如权利要求4所述的溅镀机构,其特征在于,该第二磁场单元包括有二个磁石。

10.如权利要求1所述的溅镀机构,其特征在于,该磁石为一永久磁铁。

11.一种溅镀装置,其特征在于,包括:

一腔体,具有多数个开口;

一溅镀机构,配置于该腔体的一侧;以及

一基板支撑座,配置于该腔体内,且该溅镀机构与该基板支撑座相对配置;

其中,该溅镀机构包括:多数个电极靶材单元,该每一电极靶材单元的同一侧配置有至少一第一磁场单元,且该电极靶材单元配置于该腔体的多数个开口,该第一磁场单元位于该腔体外侧;以及多数个平移装置,位于该腔体外侧;

该溅镀机构的每一第一磁场单元独立配置有该平移装置,且该第一磁场单元包括有至少一磁石以及一第一磁石支撑座,该至少一磁石以及该第一磁石支撑座互相连接。

12.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的电极靶材单元包括一电极板以及至少一靶材,且该靶材相对于该第一磁场单元而配置于该电极板的另一侧。

13.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的电极靶材单元为一导电靶材。

14.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构包括至少一第二磁场单元,该第二磁场单元包括有至少一磁石以及一第二磁石支撑座,该第二磁场单元的磁石以及第二磁石支撑座互相连接,且该第一磁场单元的第一磁石支撑座具有至少一贯穿孔洞,该第二磁场单元的磁石贯穿该第一磁石支撑座的孔洞。

15.如权利要求14所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构包括一升降装置,该升降装置配置于该第二磁场单元。

16.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的该每一第一磁场单元独立配置有该平移装置以及一升降装置。

17.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的该每一第一磁场单元独立配置有该平移装置以及一摆动装置。

18.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的该第一磁场单元包括有三个磁石。

19.如权利要求14所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的该第二磁场单元包括有二个磁石。

20.如权利要求11所述的溅镀装置,其特征在于,该溅镀机构的该磁石为一永久磁铁。

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