[实用新型]应用于单层绕线轨迹的分析装置有效
申请号: | 200920269438.4 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN201766061U | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 张宸峰;沈勤芳;邱显仕;林依洁;许天彰;张耀文;林忠纬;李柏纬 | 申请(专利权)人: | 新思科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 单层 轨迹 分析 装置 | ||
1.一种用以分析单层的绕线轨迹的装置,所述的绕线轨迹是连接若干个连接单元,其特征在于所述的装置包含:
一分类单元,根据一虚拟四边形内的绕线轨迹进行分类,其中所述的虚拟四边形是以四个连接单元为顶点,且所述的虚拟四边形内不包含连接单元;
一计算单元,连接至所述的分类单元;根据所述的分类单元所提供的分类结果计算所述的绕线轨迹间的距离对应关系;及
一判断单元,连接至所述的分类单元及判断单元;根据所述的计算单元所提供的计算结果判断所述的绕线轨迹是否符合一绕线规则。
2.根据权利要求1的装置,其特征在于,其进一步包含:
一调整单元,连接至所述的判断单元;根据所述的判断单元所提供的判断结果调整不符合所述的绕线规则的绕线轨迹。
3.根据权利要求1的装置,其特征在于,其中所述的虚拟四边形为矩形。
4.根据权利要求1的装置,其特征在于,其中所述的绕线轨迹的类型包含一第一类型、一第二类型、一第三类型、一第四类型、一第五类型及一第六类型,其中所述的第一类型的绕线轨迹是于所述的虚拟四边形的一第一边及一第二边进出,所述的第二类型的绕线轨迹是于所述的虚拟四边形的所述的第一边及一第三边进出,所述的第三类型的绕线轨迹是于所述的虚拟四边形的所述的第三边及一第四边进出,所述的第四类型的绕线轨迹是于所述的虚拟四边形的所述的第二边及所述的第四边进出,所述的第五类型的绕线轨迹是于所述的虚拟四边形的所述的第三边及所述的第二边进出,而所述的第六类型的绕线轨迹是于所述的虚拟四边形的所述的第一边及所述的第四边进出,其中所述的第一边为所述的第四边的对边。
5.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第一类型的绕线轨迹及所述的第二类型的绕线轨迹的最短间距是否大于 一固定值。
6.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第二类型的绕线轨迹及所述的第三类型的绕线轨迹的最短间距是否大于一固定值。
7.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第三类型的绕线轨迹及所述的第四类型的绕线轨迹的最短间距是否大于一固定值。
8.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第一类型的绕线轨迹及所述的第四类型的绕线轨迹的最短间距是否大于一固定值。
9.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第一类型的绕线轨迹及所述的第三类型的绕线轨迹的最短间距是否大于一固定值。
10.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第二类型的绕线轨迹及所述的第四类型的绕线轨迹的最短间距是否大于一固定值。
11.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第一类型的绕线轨迹及所述的第三类型的绕线轨迹的间距是否可容许所述的第五类型或第六类型的绕线轨迹通过。
12.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第二类型的绕线轨迹及所述的第四类型的绕线轨迹的间距是否可容许所述的第五类型或第六类型的绕线轨迹通过。
13.根据权利要求4的装置,其特征在于,其中所述的绕线规则包含所述的第五类型的绕线轨迹及所述的第六类型的绕线轨迹的间距是否同时存在。
14.根据权利要求1的装置,其特征在于,其中所述的绕线轨迹的转折 夹角为135度。
15.根据权利要求1的装置,其特征在于,其中所述的绕线轨迹的转折夹角为90度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造