[实用新型]应用于单层绕线轨迹的分析装置有效
申请号: | 200920269438.4 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN201766061U | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 张宸峰;沈勤芳;邱显仕;林依洁;许天彰;张耀文;林忠纬;李柏纬 | 申请(专利权)人: | 新思科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 单层 轨迹 分析 装置 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种绕线(routing)轨迹的分析装置,尤其是关于单层绕线轨迹的分析装置。
背景技术
随着制程的发展,现今的集成电路相较于以往具有更高的复杂度及更小的体积,而此种特性也增加芯片输出/入连接的困难度。据此,一种具有较高集成密度及较多输出/入接脚数的倒装芯片封装技术即孕育而生。倒装芯片封装是一种可将半导体器件连接至外部电路的技术,其中所述的外部电路可包含封装装载器(package carrier)或是印刷电路板(printed circuit board)等。相较于其它封装技术,倒装芯片封装技术的优点包含具有更多可用于输出入连接的面积、可以较少的干扰达到较高的传输速率,以及可防止外在环境因素干扰信号。
倒装芯片封装技术是使用沉积于芯片衬垫上的焊球(solder bump)以和外部电路连接,其中所述的焊球是于最终的晶圆制作阶段沉积于晶圆顶层的焊球衬垫(bump pad)。为安装所述的芯片于一外部电路,所述的芯片是反置以使其顶层向下,以使其焊球衬垫对齐所述的外部电路的衬垫。图1显示一倒装芯片封装的示意图。如图1所示,一芯片100是反置以安装于一封装装载器200,其中所述的芯片100的顶层具有若干个焊球衬垫102,其是藉由若干个焊球104连接于所述的封装装载器200上。所述的芯片100亦具有若干个导线结合衬垫(wire bonding pad)或称驱动衬垫(driver pad)106。图2显示所述的芯片100的截面图。如图2所示,为降低电路设计的复杂度及达到减少更改设计的目的,所述的芯片100具有一称为重新分布层 (re-distribution layer)的额外的金属层于所述的芯片100的顶层金属层上,以连接所述的驱动衬垫106至所述的焊球衬垫102。
据此,所述的芯片100是于其重新分布层上进行绕线以连接所述的焊球衬垫102及所述的驱动衬垫106。然而,由于所述的重新分布层是在晶圆制作阶段形成,其绕线方式具有角度的限制,且必须满足制程的设计规则(design rule)。换言之,所述的芯片100必须在重重限制下以单层绕线的方式在所述的重新分布层内绕线,而此种限制大幅增加绕线的困难度。
现存绕线轨迹的分析方法多半针对芯片内的绕线,亦即在可由多层金属层进行绕线的环境下进行绕线分析,其需符合的绕线规则相对而言较为宽松。由于在此种环境下,绕线可在多层金属层间进行,故其中一层金属层可仅容纳单一维度的绕线。据此,所述的绕线轨迹的分析方法是根据单一维度的绕线数量进行分析。换言之,所述的绕线轨迹的分析方法是定义在单一维度下可容纳固定的绕线数量,若超过所述的固定的绕线数量,则所述的芯片的绕线不符合其绕线规则。
然而,由于倒装芯片封装是于重新分布层上完成单层绕线,其必须包含两个维度的绕线轨迹。又,重新分布层上的所述的绕线轨迹不允许彼此绕线交错。因此,现存针对芯片内的绕线轨迹的分析方法无法适用于单层的绕线轨迹。
目前存在一种整数线性编程(integer linear programming)算法用以计算应用倒装芯片封装技术时的绕线轨迹。整数线性编程算法包含两个阶段:第一阶段是全盘式的决定一倒装芯片内的各驱动衬垫及对应的焊球衬垫间连接的绕线轨迹,第二阶段再辅以细节式的完成所述的绕线轨迹。然而,整数线性编程算法的其中一缺点即是其需耗费大量时间运算。对于讲求效率及研发成本的业界而言,整数线性编程算法并不符合使用上的需求。其次,整数线性编程算法虽然是针对单层的绕线轨迹进行分析,然其仅限制在一二维面积下可通过的绕线数量,而未对各种不同的绕线轨迹进行考虑。因此,为避 免违反绕线规则,整数线性编程算法的限制条件往往过于严格而无法真实反映欲分析的单层绕线可容许的绕线轨迹,故使得所述的单层绕线无法达到最佳化的绕线轨迹。
据此,业界所需要的是一种应用于单层绕线轨迹的分析装置,其可根据各绕线的绕线轨迹分析其是否符合绕线规则,故可比现有的分析装置更接近最佳化的绕线轨迹。
实用新型内容
本实用新型所提供的应用于单层绕线轨迹的分析装置通过划分所述单层绕线轨迹所在的平面成若干个虚拟四边形,并根据所述的虚拟四边形内的各绕线轨迹的平面特性判断所述的绕线轨迹是否符合一绕线规则。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新思科技有限公司,未经新思科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920269438.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造