[实用新型]倒装芯片的散热结构有效

专利信息
申请号: 200920291608.9 申请日: 2009-12-07
公开(公告)号: CN201590413U 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 刘帆;刘欣;徐宝亮 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 518057 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 倒装 芯片 散热 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及通信领域,具体而言,涉及一种倒装芯片的散热结构。

背景技术

目前,自然散热设备中的高热耗芯片都是通过一定厚度的导热垫片将热量传递至散热外壳上进行散热,但是,在该方案中,由于芯片的不同封装会存在不同的高度尺寸公差,因此,导热垫片厚度需要满足以下条件:安装后的压缩形变量控制在一定范围之内。满足上述条件,可以确保因公差引起的压缩力不会过大而压坏芯片。

对于大多数芯片而言,可以通过上述方式在芯片与设备外壳之间添加导热垫片填充间隙,调整尺寸公差的同时向设备的外壳散热。而对于倒装芯片(flip chip),一般整体高度公差可以达到0.8mm以上,芯片核心相对于封装基板的高度公差却在0.1mm左右,对于这种高热流密度、高尺寸公差封装的电子器件,要通过导热垫的压缩来弥补尺寸公差以保证结构上的良好接触,至少需要3mm的导热垫,这会导致热阻非常大,因此,满足结构可靠性的同时却无法满足散热可靠性。

实用新型内容

针对相关技术中存在的倒装芯片封装电子器件结构可靠性与散热可靠性无法同时满足的问题而提出本实用新型,为此,本实用新型的主要目的在于提供一种倒装芯片的散热结构,以解决上述问题至少之一。

根据本实用新型,提供了一种倒装芯片的散热结构。

根据本实用新型的散热结构,用于对安装于芯片基板的倒装芯片进行散热,包括:与设备散热外壳内表面相贴合的导热垫片,其中,该散热结构还包括:辅助散热结构,连接于倒装芯片与导热垫片之间。

优选地,辅助散热结构包括:导热金属块,位于导热垫片上部且与导热垫片相贴合;绝缘硬介质,连接于导热金属块与芯片基板之间,中部具有空腔,用于容纳倒装芯片的凸起部,其中,倒装芯片与导热金属块具有预定厚度的间隙;导热界面材料,位于间隙中,连接于倒装芯片和导热金属块之间。

优选地,辅助散热结构还包括:软胶纸,位于绝缘硬介质与导热金属块之间,用于将绝缘硬介质与导热金属块进行粘合。

优选地,绝缘硬介质周边围成的表面积小于芯片基板的表面积。

优选地,导热金属块的上下表面对称平行且面积相等,上下表面的面积均大于倒装芯片的表面积,小于等于芯片基板的表面积。

优选地,散热结构安装于倒装芯片的正下方,通过螺钉固紧倒装芯片所在的单板,将散热结构压紧于倒装芯片与设备散热外壳之间。

优选地,绝缘硬介质包括:聚碳酸酯垫圈。

优选地,导热界面材料包括:导热硅脂。

通过本实用新型,在倒装芯片与导热垫片之间增加辅助散热结构,解决了相关技术中存在的倒装芯片封装电子器件结构可靠性与散热可靠性无法同时满足的问题,进而可以在保证器件核心不被过压的情况下,保证器件核心与设备外壳之间的良好接触,并提高散热可靠性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本申请的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:

图1是根据本实用新型优选实施例的倒装芯片的散热结构的三维示意图;

图2是根据本实用新型优选实施例的倒装芯片的散热结构的侧面剖视图。

具体实施方式

下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

根据本实用新型实施例,提供了一种倒装芯片的散热结构。

根据本实用新型实施例的倒装芯片的散热结构,用于对安装于芯片基板的倒装芯片进行散热,包括:与设备散热外壳内表面相贴合的导热垫片,其中,该散热结构还包括:辅助散热结构,连接于倒装芯片与导热垫片之间。

上述辅助散热结构可以调整倒装芯片整体的高尺寸公差,与直接用垫片与芯片核心接触相比,可以降低热流密度,减小热阻,保证倒装芯片散热的可靠性。

优选地,上述辅助散热结构可以进一步包括:导热金属块、绝缘硬介质、导热界面材料。以下分别介绍各组分。

导热金属块,位于导热垫片上部且与导热垫片相贴合;

绝缘硬介质,连接于导热金属块与芯片基板之间,中部具有空腔,用于容纳倒装芯片的凸起部,其中,倒装芯片与导热金属块具有预定厚度的间隙;

因此,绝缘硬介质中部的空腔面积需要大于芯片凸起部的面积,厚度需要等于或者稍大于倒装芯片的最大厚度。一般情况下,绝缘硬介质的厚度不超过倒装芯片的最大厚度0.05mm。

优选地,绝缘硬介质周边围成的表面积小于芯片基板的表面积。

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