[发明专利]用于布局验证的基于模式片断的热点数据库系统

说明书

技术领域

本发明的实施例主要涉及半导体制造。更具体地，本发明的实 施例涉及用于识别集成电路(IC)芯片布局中对制造错误敏感的位 置的方法和系统。

背景技术

IC制造技术的进步已经使IC芯片上的最小特征尺寸不断减小。 事实上，当前的最小特征尺寸比常规光成像系统中使用的光的波长 小。因此，在设计的布局和实际制造的电路元件外形之间越来越难 获得合理的保真度，其通常表示为分辨率和焦深。现有的刻线分辨 率增强技术(RET)，如光学邻近校正(OPC)、相移掩模(PSM)， 以及亚分辨率辅助特征(SRAF)变得不足以解决纳米级的制造问题。

关注可制造性的物理设计，其在物理设计过程中既考虑产量又 考虑可靠性，在连接纳米级制造过程中的设计和制造之间的差距中 变得日益重要。很多产量和可靠性问题可归结于某些布局配置，称 为“工艺热点”或“热点”，其对工艺问题，如应力和光刻工艺波 动敏感。因此希望识别和去除这些工艺热点配置以及用更加产量友 好的配置代替它们。

常规地，布局设计工程师使用制造者提供的设计规则来表示局 部的工艺热点。典型的设计规则检查员可检测布局中的这种工艺热 点，这有助于对工艺热点进行校正以服从规则。但是，设计规则不 足以检测占据较大布局区域(例如|x|μm²的区域)的一组紧密布局 的对象引起的工艺热点。注意，这些“大”的热点典型地由“邻近 效应”引起，它是来自相互邻近的一组几何形状的特殊布局配置的 聚集的物理效应(可包括光刻效应和机械应力效应)。因为邻近效 应涉及的工艺复杂度，这些邻近效应导致的热点不能被一组设计规 则有效地说明。

为了解决这个问题，制造者引入了一种称为“模式片断”的新 型的热点描述技术。注意，不使用设计规则，模式片断提供可引起 工艺热点的布局配置的直接图像基于的表示。注意，制造者可例行 地发布新的“模式片断”，使设计者能用它们检测热点。因此，设 计者可使用模式匹配技术识别设计布局中的这些模式片断。

遗憾的是，修改布局以解决识别的基于模式片断的热点的自动 技术典型地对设计者不可用。注意，模式片断本身不足以让设计者 对识别的热点做出校正的决定。这是因为每个热点是由与全部模式 片断相关的邻近效应引起的，以及热点图像不指明需要改变哪一个 组成的几何形状以去除或减少热点的程度。

因此，需要一种当识别出热点时自动校正布局中基于模式片断 的热点的技术。

发明内容

本发明的一个实施例提供了一种产生基于模式片断的热点数据 库用于执行自动的基于模式片断的布局验证的系统。在操作期间， 系统接收指定在布局中要避免的制造热点的模式片断列表，其中每 个模式片断包括一组相互邻近的几何形状。接下来，对于每个模式 片断，系统干扰模式片断以便为组成的几何形状组确定第一变更范 围，其中被干扰的模式片断不再导致制造热点。然后系统从第一变 更范围提取用于校正模式片断的一组校正指导描述。随后，系统在 基于模式片断的热点数据库中存储该模式片断以及该组校正指导描 述。

在对此实施例的一个变更中，系统从IC制造者接收模式片断列 表。

在对此实施例的一个变更中，通过干扰几何形状组中的每个几 何形状确定几何形状的变更范围，系统干扰模式片断以确定第一变 更范围，其中被干扰的模式片断不再导致制造热点。

在对此实施例的一个变更中，在干扰模式片断时，系统确定对 于相关的几何形状组的第二变更范围，其中被干扰的模式片断保持 制造热点。

在对此实施例的又一个变更中，通过干扰几何形状组中的每个 几何形状确定几何形状的变更范围，系统干扰模式片断以确定第二 变更范围，其中被干扰的模式片断保持制造热点。

在对此实施例的一个变更中，系统使用基于模式片断的热点数 据库用于布局验证。具体地，系统接收用于验证的布局。接下来， 通过对基于模式片断的热点数据库中每个存储的模式片断执行模式 匹配，系统识别布局中的一个或多个制造热点。接下来，对于每个 识别的热点，系统取回与基于模式片断的热点数据库中匹配的模式 片断相关的一组校正指导描述。然后系统使用该组校正指导描述校 正识别的热点。

在对此实施例的又一个变更中，通过识别既与存储的模式片断 相似又落在与存储的模式片断相关的第二变更范围中的模式，系统 识别制造热点。