[发明专利]半导体发光器件及用于制造该器件的方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

多个发光单元，包括多个化合物半导体层；

所述发光单元上的多个欧姆接触层；

所述欧姆接触层上的第一绝缘层；

电气连接到所述发光单元的第一发光单元的第二电极层；以及

串联地连接所述发光单元的多个互连层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括所述发光单元的第n发光单元下的第一电极。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括所述欧姆接触层的第一欧姆接触层下的第二电极。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

所述第二电极层形成在所述第一绝缘层上，并且形成在所述欧姆接触层的第一欧姆接触层上，并且

所述半导体发光器件包括所述第二电极层上的导电支撑件。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述互连层的一端连接到一侧发光单元，并且所述互连层的另一端连接到与所述一侧发光单元相邻的另一侧发光单元。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，包括形成在所述互连层与所述发光单元之间的第二绝缘层。

7.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述发光单元包括：

所述欧姆接触层下的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层下的有源层；以及

所述有源层下的第一导电半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，分别地，所述互连层的第一部分电气连接到一侧发光单元的所述第一导电半导体层，并且所述互连层的第二部分电气连接到形成在另一侧发光单元上的所述欧姆接触层。

9.一种半导体发光器件，包括：

多个发光单元阵列，包括多个化合物半导体层；

所述发光单元阵列上的多个欧姆接触层；

所述欧姆接触层上的第一绝缘层；

电气连接到每个发光单元阵列的一端的第一发光单元的多个第二电极层；

串联地连接所述发光单元阵列的多个互连层；以及

电气连接所述发光单元阵列的两端的连接节点。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述发光单元包括：

N型半导体层；

所述N型半导体层上的有源层；以及

所述有源层与所述欧姆接触层之间的P型半导体层。

11.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，向所述发光单元阵列的一端输入交流(AC)电源的第一极，并且向所述发光单元阵列的另一端输入AC电源的第二极。

12.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述发光单元阵列包括：

第一发光单元阵列，其中多个发光单元串联地连接；以及

第二发光单元阵列，其中多个发光单元串联地连接；并且

以交流(AC)电源每半周期交替地驱动所述发光单元阵列。

13.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中：

所述互连层将一侧发光单元的N型半导体层与和所述N型半导体层相邻的另一侧发光单元上的所述欧姆接触层相连接，并且

所述半导体发光器件包括所述互连层下的多个第二绝缘层。

14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，包括所述第二电极层上的多个导电支撑件。

15.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成多个化合物半导体层；

在所述化合物半导体层上形成欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上形成第一绝缘层；

形成第二电极层，所述第二电极层形成在所述第一绝缘层上并电气连接到所述欧姆接触层的一端；

去除所述基底；

刻蚀所述化合物半导体层及所述欧姆接触层以分成多个发光单元；

形成互连层，所述互连层串联地连接所述发光单元；以及

在所述发光单元的另一端发光单元下形成第一电极。