[发明专利]半导体发光器件及用于制造该器件的方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种半导体发光器件及用于制造该器件的方法。

背景技术

在物理特性和化学特性方面，III-V族氮化物半导体已被广泛地用作诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。III-V族氮化物半导体由具有组分方程In_xAl_yGa_1-x-yN(其中，0≤x≤1、0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料组成。

LED是一种通过使用化合物半导体的特性来将电改变成红外线或光以输入/输出信号或者用作光源的半导体器件。

利用氮化物半导体材料的LED或LD大量应用于用于获得光的发光器件。例如，LED或LD用作所有类别产品的光源，诸如，蜂窝式电话的小键盘、电子显示板及照明设备的发光部分。

发明内容

技术问题

实施例提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括用于交流(AC)电的多个发光单元。

实施例提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括多个电极之间的多个发光单元。

实施例提供了一种半导体发光器件，其中多个发光单元阵列串联地和/或并联地连接，并且部分串联地和/或部分并联地连接。

实施例提供了一种发光装置，其中具有多个发光单元的半导体发光器件串联地、并联地或反并联地相互连接。

实施例提供了一种发光装置，其上安装有至少一个包括多个发光单元的半导体发光器件。

技术方案

实施例提供了一种半导体发光器件，其包括：多个发光单元，包括多个化合物半导体层；所述发光单元上的多个欧姆接触层；所述欧姆接触层上的第一绝缘层；电气连接到所述发光单元的第一发光单元的第二电极层；以及串联地连接所述发光单元的多个互连层。

实施例提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个发光单元阵列，包括多个化合物半导体层；所述发光单元阵列上的多个欧姆接触层；所述欧姆接触层上的第一绝缘层；电气连接到每个发光单元阵列的一端的第一发光单元的多个第二电极层；串联地连接所述发光单元阵列的多个互连层；以及电气连接所述发光单元阵列的两端的连接节点。

实施例提供了一种半导体发光器件，包括：

一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：在基底上形成多个化合物半导体层；在所述化合物半导体层上形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成第一绝缘层；形成第二电极层，该第二电极层形成在所述第一绝缘层上并电气连接到所述欧姆接触层的一端；去除所述基底；刻蚀所述化合物半导体层及所述欧姆接触层以分成多个发光单元；形成互连层，该互连层串联地连接所述发光单元；以及在所述发光单元的另一端发光单元下形成第一电极。

在附图及以下描述中阐述一个或更多个实施例的细节。根据说明书、附图及权利要求书，其它特征将显而易见。

有益效果

实施例提供了一种以AC电源驱动的半导体发光器件。

根据实施例，能够驱动用于高压AC电源的半导体发光器件。

实施例提供了一种用于AC驱动的发光器件，其中多个发光单元在一个器件内串联地、并联地和/或反并联地连接。

附图说明

图1是例示根据第一实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图2是例示根据第二实施例的发光装置的框图。

图3是例示根据第三实施例的发光装置的框图。

图4是例示根据第四实施例的发光装置的框图。

图5是例示根据第五实施例的发光装置的框图。

图6是例示根据第六实施例的发光装置的框图。

图7至图13是例示用于制造图1中的半导体发光器件的方法的图。

图14是例示根据第七实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图15是例示根据第八实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图16是例示根据第九实施例的半导体发光器件的侧剖面图。

图17是例示根据第十实施例的发光装置的侧剖面图。

图18是例示根据第十一实施例的发光装置的侧剖面图。

具体实施方式