[发明专利]成膜装置无效
申请号: | 200980100392.6 | 申请日: | 2009-02-25 |
公开(公告)号: | CN101809197A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 齐藤隆雄;寺泽达矢 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50;C23C16/515 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种成膜装置,其使用伴随等离子体中的离子移动而生成的规定的膜, 覆盖由体积电阻率小于硅的金属材料形成的多个被处理物,其特征在于,
具备:
成膜部,其具备作为产生所述等离子体的电极的一方的、支撑所述被处理 物的支撑电极以及作为产生所述等离子体的电极的另一方的、与该支撑电极分 离并且与该支撑电极对向的对向电极,其中所述支撑电极为金属材料并且设置 有多个孔,以便气体能够向下方流通;
设置了多个所述成膜部的封闭空间;
对各个所述成膜部每个设置了一个,且在所述支撑电极和所述对向电极之 间施加电压的单独电源,
所述成膜部的对向电极具有直径1mm~4mm的、向所述被处理物喷射成 为所述规定的膜的原料的气体的喷射口。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
具备调节所述封闭空间内的压力的压力调节单元,
在通过所述压力调节单元将所述封闭空间内的压力调节到从10hPa至常 压的压力的状态下,通过所述单独电源在各成膜部的所述支撑电极和所述对向 电极之间施加电压来产生等离子体,由此通过所述规定的膜覆盖所述多个被处 理物。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
在通过所述压力调节单元将所述封闭空间内的压力调节到从100hPa至常 压的压力的状态下,通过所述单独电源在各成膜部的所述支撑电极和所述对向 电极之间施加电压来产生等离子体,由此通过所述规定的膜覆盖所述多个被处 理物。
4.根据权利要求1~3的任意一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜部的支撑电极以所述被处理物与所述对向电极的间隔为 1mm~20mm的方式,支撑所述被处理物。
5.根据权利要求1~3的任意一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述规定的膜是类金刚石炭膜。
6.根据权利要求1~3的任意一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述被处理物由铁基材质形成。
7.根据权利要求6所述的成膜装置,其特征在于,
所述被处理物由不锈钢材料、模具钢材料或高速钢材料形成。
8.根据权利要求1~3的任意一项所述的成膜装置,其特征在于,
所述单独电源在所述支撑电极和对向电极之间施加直流脉冲电压。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的