[发明专利]成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及成膜装置。

背景技术

目前，已知一种放电等离子体处理装置，其具备被固体介质覆盖的电压施 加电极以及与其对向的对向电极，在这些电极之间导入处理气体，使通过介质 阻挡放电产生的辉光放电等离子体与被处理基体材料接触来进行处理。例如在 专利文献1记载的放电等离子体处理装置中，设置了3台放电等离子体产生单 元，该放电等离子体产生单元在至少一方设置了固体介质的两个电极之间导入 处理气体，来产生等离子体。这三台放电等离子体产生单元通过一个控制单元 来施加脉冲电场。

专利文献1：特开3914093号公报

但是，希望使烃气等离子化，在多个被处理物中同时产生类金刚石碳 (DLC)膜的量产化。此时，考虑使用在专利文献1中记载的放电等离子体处 理装置。但是，因为通过离子在等离子体中移动来生成DLC膜，所以当通过 固体介质覆盖电极时，离子无法移动无法生成DLC膜。但是，在没有通过固 体介质进行覆盖时，在电极间或者在被处理物和电极之间，产生电弧放电的概 率变高。特别是在被处理物由体积电阻率小的材料(例如体积电阻率比硅小的 金属材料)形成时，在被处理物和电极之间容易引起电弧放电。当产生电弧放 电时，有时在产生电弧放电的电极之间，正在生成的DLC膜受到损伤，并且， 在通过同一控制单元施加电场的另一电极之间，无法使处理气体等离子化，产 生无法生成DLC膜的事态。由此，当在多个被处理物中同时生成DLC膜，由 此处理多个被处理物的情况下，难以成品率良好地进行处理。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而提出的，其主要目的在于，提供一种能够成品率 良好地对产品进行量产的成膜装置，该产品为使用伴随离子在等离子体中的移 动而生成的膜，覆盖由体积电阻率小于硅的金属材料形成的被处理物而得到的 产品。

本发明为了达成以上的目的采取以下的方法。

本发明的成膜装置，使用伴随离子在等离子体中的移动而生成的规定的 膜，覆盖由体积电阻率小于硅的金属材料形成的多个被处理物，该成膜装置具 备：成膜部，其具备作为产生所述等离子体的电极的一方的、支撑所述被处理 物的支撑电极，以及作为产生所述等离子体的电极的另一方的、与该支撑电极 分离并且与该支撑电极对向的对向电极；设置了多个所述成膜部的封闭空间； 对各个所述成膜部每个设置了一个，且在所述支撑电极和所述对象电极之间施 加电压的单独电源。

在该成膜装置中，对于设置在封闭空间中的多个成膜部，分别设置了单独 电源。并且，在由体积电阻率小于硅的金属材料形成的被处理物上生成规定的 膜时，在由支撑电极支撑被处理物的状态下，通过各个单独电源在支撑电极和 对向电极之间施加电压。如此，因为对所设置的多个成膜部分别设置了单独电 源，所以在生成规定的膜的过程中，即使在某个成膜部中产生了电弧放电，但 在其他的成膜部中也会依然如故地施加电压，所以可以继续进行成膜。因此， 可以成品率良好地量产使用伴随离子在等离子体中的移动而生成的规定的膜， 覆盖被处理物而得到的产品。在此，作为规定的膜，可列举DLC膜、碳化硼 (BN)膜、立方碳化硼(c-BN)膜等。所谓DLC膜，是也可以称为硬质碳膜 或非晶碳膜的膜。

本发明的成膜装置优选具备调节所述封闭空间内的压力的压力调节单元， 在通过所述压力调节单元将所述封闭空间内的压力调节到从10hPa到常压(更 为理想的是100hPa～常压)的压力的状态下，通过所述单独电源在各成膜部的 所述支撑电极和所述对向电极之间施加电压来产生等离子体，由此通过所述规 定的膜覆盖所述多个被处理物。当在从10hPa至常压的压力下生成规定的膜 时，与小于10hPa的情况相比，成膜速度快，每单位时间可以覆盖更多的被处 理物。此外，当在从100hPa到常压的压力下生成规定的膜时，与小于100hPa 的情况相比，成膜速度快，单位时间可以覆盖更多的被处理物，并且，与小于 100hPa的情况相比，容易产生电弧放电，应用本发明的意义高。当在从100hPa 至常压的压力下生成规定的膜，在成膜部投入对向电极的每单位面积 150W/cm²以上的功率，成膜速度变快，所以是理想的。