[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第一导电半导体层的发光结构；

具有在所述发光结构上的第一部分的电极层；以及

沿着所述发光结构的顶表面的外周并在所述电极层的第二部分下的绝缘层，其中

所述绝缘层包括从所述绝缘层的下表面通过所述第二导电半导体层和所述有源层突出到所述第一导电半导体层的上部分内的突出部。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述突出部被配置为将所述有源层划分为由非有源区域限定范围并与非有源区域电隔离的有源区域。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述突出部限定所述发光结构的上部分的范围。

4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述突出部包括多个突出部。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述电极层的第二部分与位于所述突出部的外侧的所述发光结构的半导体层电隔离。

6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第二导电半导体层的第一部分和所述有源层的第一部分位于所述突出部的内侧，并与位于所述突出部的外侧的所述第二导电半导体层的第二部分和所述有源层的第二部分电隔离。

7.根据权利要求2所述的半导体发光器件，还包括以下至少一种：

在所述发光结构的至少一个外壁上的反射层；以及

嵌入所述突出部的下表面中并与所述第一导电半导体层接触的金属环。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：

在所述电极层上的导电支持构件。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述发光结构包括：

在所述第二导电半导体层上的N型半导体层或P型半导体层。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘层和所述突出部形成为具有圆形或多边形形状的封闭环。

11.一种半导体发光器件，包括：

包括至少两个导电半导体层和在所述至少两个导电半导体层之间的有源层的发光结构；

沿着所述发光结构的上部分的外周的、在所述有源层下暴露出所述至少两个导电半导体层之一的槽；

在所述发光结构的靠外部分上并具有沿着所述发光结构的顶表面的外周被布置在所述槽内的突出部的绝缘层；

在所述发光结构和所述绝缘层上的电极层；以及

在所述电极层上的导电支持构件。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述电极层包括：

反射电极层。

13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括：

具有层或多图案并位于所述电极层和所述发光结构之间的欧姆接触层。

14.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括以下至少一种：

在所述槽中的所述绝缘层突出部和所述绝缘层下的所述半导体层之间的金属环；以及

在所述发光结构的外壁上的反射层。

15.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

形成包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；

沿着所述第二导电半导体层的顶表面的外周形成暴露出所述第一导电半导体层的上部分的蚀刻槽；

在所述蚀刻槽中、在所述第二导电半导体层的外侧形成绝缘层；以及在所述第二导电半导体层上形成第二电极层。